SQ2318ES
汽车N沟道
40 V （ D- S） 175℃ MOSFET
产品概述
V
DS
(V)
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 10 V
R
DS （ ON）
（ ）在V
GS
= 4.5 V
I
D
(A)
CON组fi guration
TO-236
(SOT-23)
40
0.040
0.055
6
单身
D
特点
无卤符合IEC 61249-2-21
德网络nition
TrenchFET
功率MOSFET
AEC- Q101标准
c
100 % R
g
和UIS测试
符合RoHS指令2002/95 / EC
G
1
3
D
S
2
G
顶视图
SQ2318ES*
*标识代码： 8Gxxx
S
N沟道MOSFET
订购信息
包
铅（ Pb），且无卤
SOT-23
SQ2318ES-T1-GE3
绝对最大额定值
(T
C
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
漏源电压
栅源电压
连续漏电流
连续源电流（二极管传导）
漏电流脉冲
a
单脉冲雪崩电流
单脉冲雪崩能量
最大功率耗散
a
工作结存储温度范围
L = 0.1 mH的
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
T
C
= 25 °C
T
C
= 125 °C
符号
V
DS
V
GS
I
D
I
S
I
DM
I
AS
E
AS
P
D
T
J
, T
英镑
极限
40
± 20
6
3.5
3.8
24
11
6
3
1
- 55 + 175
mJ
W
°C
A
单位
V
热电阻额定值
参数
结到环境
结到脚（漏极）
笔记
一。脉冲测试;脉冲宽度
300微秒，占空比
2 %.
B 。当安装在1"正方形板（ FR-4材料） 。
。参数验证正在进行中。
印刷电路板安装
b
符号
R
thJA
R
thJF
极限
166
50
单位
° C / W
1 / 10
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