数据表
复合晶体管
BA1A3Q
片上电阻NPN硅外延晶体管
对于中速开关
特点
片上偏置电阻
(R
1
= 1.0千欧，R
2
= 10 k)
与BN1A3Q互补晶体管
封装图（单位：mm ）
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
P
T
T
j
T
英镑
评级
60
50
5
100
200
250
150
55
+150
单位
V
V
V
mA
mA
mW
°C
°C
* PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
电气特性（Ta = 25 ° C）
°
参数
收藏家Cuto FF电流
直流电流增益
直流电流增益
集电极饱和电压
低电平输入电压
高电平输入电压
输入阻抗
E-到B抗性
开启时间
贮存时间
打开-O FF时间
符号
I
CBO
h
FE1
**
h
FE2
**
V
CE （ SAT ）
**
V
IL
**
V
IH
**
R
1
R
2
t
on
t
英镑
t
关闭
V
CC
= 5 V ，R
L
= 1 k
V
I
= 5 V ， PW = 2
s
占空比2英镑％
条件
V
CB
= 50 V，I
E
= 0
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 5.0毫安
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 50毫安
I
C
= 5.0毫安，我
B
= 0.25毫安
V
CE
= 5.0 V，I
C
= 100
A
V
CE
- 0.2 V，I
C
= 5.0毫安
2.0
0.7
7
35
80
60
230
0.05
0.7
1.0
1.0
10
1.3
13
0.2
5.0
6.0
0.2
0.5
分钟。
典型值。
马克斯。
100
100
单位
nA
V
V
V
k
k
s
s
s
** PW
≤
350
S，占空比
≤
2 %
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一号文件D16173EJ1V0DS00 （第1版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
