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ACS758xCB
耐热增强型全集成，基于霍尔效应
线性电流传感器IC，具有
100
μΩ
电流导体
特征定义
准确度特性的德网络nitions
灵敏度（ SENS） 。
在设备的输出响应于所述改变
1 ，通过改变初级导体。灵敏度是
磁路灵敏度（G / A）和直链的产物
IC放大器增益（MV / G） 。线性IC放大器增益为亲
编程在工厂，以优化灵敏度（MV / A）的
该器件的一半规模的电流。
噪声（ V
噪音
).
噪声基底从热衍生和
在霍尔元件观察到的散粒噪声。除以噪声（MV ）
由灵敏度（MV / A）提供了最小电流的
设备能够解决。
非线性（E
LIN
).
的程度的电压输出
从IC成正比变化到初级电流
通过其一半规模的幅度。非线性的输出可以是
归因于磁通集中器的接近饱和
半量程电流。下面的方程来推导
线性：
100 1–
该比例的变化（ ％ ）中的静态电压输出
德网络定义为：
V
IOUTQ （
V
IOUTQ （V
CC
)
V
IOUTQ(5V)
V)
=
V
CC
5V
%
和比例变化（％）在灵敏度定义为：
SENS
(
V
=
SENS
(V
CC
V
CC
SENS
(
5V
V
%
静态输出电压（V
IOUT （ Q）
).
静态输出电压
(V
IOUT （ Q）
） 。该装置时，初级电流的输出
零。对于双向器件，它名义上仍为V
CC
2.
因此，V
CC
= 5 V转换成V
IOUT （ QBI ）
= 2.5 V.对于unidirec-
tional设备，它名义上仍为0.12 ×V
CC
。因此，V
CC
= 5 V转换成V
IOUT （曲尼）
= 0.6 V.变异V
IOUT （ Q）
可以归因于快板线性集成电路的分辨率quies-
分电压调整，磁滞和热漂移。
电偏置电压（V
OE
).
该装置的偏差输出
从V ，其理想的静态值放
CC
2双向的，
0.1
×
V
CC
为单向器件，由于非磁性体的原因。
磁偏移误差（我
ERROM
).
磁偏移是由于
所述芯材的剩磁（残余字段） 。该
磁偏置误差是最高时的磁路具有
已经饱和，通常是当该装置已经经受一
满量程或高电流过载条件。磁偏移
在很大程度上依赖于用作收敛板的材料。
较大的磁偏移，在较低的操作观察
温度。
总输出误差（E
合计
).
的最大偏差
从它的理想值实际输出，也被称为
精度，
在输出电压与电流的图表图解说明
在下面的页面。
E
合计
分为四个方面：
0在25 ℃。
在零电流的流动，在25 °C的精度，与 -
出温度的影响。
0比
Δ
温度。
在零电流精度
包括温度影响。
半量程电流在25 ℃。
在半量程电流精度
在25℃ ，没有温度的影响。
上半年规模以上电流
Δ
温度。
在半精度
量程电流流动，包括温度的影响。
Allegro MicroSystems公司
115东北托夫
马萨诸塞州伍斯特01615-0036 U.S.A.
1.508.853.5000 ; www.allegromicro.com
{ [
Δ
收益
×
坐在％ （
V
IOUT
_half规模安培 -
V
IOUT （ Q）
)
2 (V
IOUT
_quarter规模安培 -
V
IOUT （ Q）
)
[{
哪里
增益=增益变化作为温度的函数
从25℃变化，
％坐在=焊剂浓度的饱和度的百分比
器，作为当前被采样变成显著
接近半量程的±我
P
和
V
IOUT_half规模安培
=输出电压（V）时的
采样的电流接近半量程的±我
P
.
对称（E
符号
).
在何种程度上的绝对电压
从IC输出正比于正或变化
负半刻度初级电流。下面的等式是
用于推导对称性：
100
V
IOUT
_ +半刻度安培 -
V
IOUT （ Q）
V
IOUT （ Q）
–
V
IOUT
_半规模安培
Ratiometry 。
该器件具有一个比例输出。这
表示静态电压输出，V
IOUTQ
和mag-
NETIC灵敏度，桑斯，是正比于电源电压V
CC
.
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