AT49SV802A （ T） [初步]
31.通用闪存接口定义表
地址[ x16模式]
10h
11h
12h
13h
14h
15h
16h
17h
18h
19h
1Ah
1Bh
1Ch
1Dh
1Eh
1Fh
20h
21h
22h
23h
24h
25h
26h
27h
28h
29h
2Ah
2Bh
2Ch
2Dh
2Eh
2Fh
30h
31h
32h
33h
地址[ x8模式]
20h
22h
24h
26h
28h
2Ah
2Ch
2Eh
30h
32h
34h
36h
38h
3Ah
3Ch
3Eh
40h
42h
44h
46h
48h
4Ah
4Ch
4Eh
50h
52h
54h
56h
58h
5Ah
5Ch
5Eh
60h
62h
64h
66h
数据
0051h
0052h
0059h
0002h
0000h
0041h
0000h
0000h
0000h
0000h
0000h
0017h
0019h
0000h
0000h
0004h
0000h
000Ah
000Eh
0004h
0000h
0002h
0002h
0014h
0002h
0000h
0000h
0000h
0002h
000Eh
0000h
0000h
0001h
0007h
0000h
0020h
典型的块擦除： 1000毫秒
典型芯片擦除： 13000毫秒
最大字写/时间（典型值）
不适用
最大块擦除/典型值块擦除
最大芯片擦除/典型芯片擦除
器件尺寸
X8 / X16设备
X8 / X16设备
不支持多字节写
不支持多字节写
2个区域中，x = 2时
64K字节，Y = 14
64K字节，Y = 14
64K字节中，Z = 256
64K字节中，Z = 256
8K字节，Y = 7
8K字节，Y = 7
8K字节， Z = 32
V
CC
分写/擦除
V
CC
最大写入/擦除
V
PP
分电压 - 无V
PP
V
PP
最大电压 - 无V
PP
典型字写 - 12微秒
评论
“Q”
“R”
“Y”
25
3522C–FLASH–3/05
