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数据表
特定网络阳离子
ADF41020
DV
DD
= AV
DD
= V
P
= 3.0V， ±5％ ，GND = 0V ，R
SET
= 5.1 kΩ的， dBm的简称50 Ω ，T
A
= T
最大
给T
民
中，除非另有说明。
表1中。
参数
射频特性
RF输入频率（ RF
IN
)
RF输入灵敏度
最大允许预分频器
输出频率
1
REF
IN
特征
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
2
电荷泵
I
CP
吸入/源
高价值
低价值
绝对精度
R
SET
I
CP
三态泄漏
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
IH
，输入高电压
V
IL
，输入低电压
I
INH
, I
INL
，输入电流
C
IN
，输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
V
OH
，输出电压高
I
OH
，高输出电流
V
OL
，输出低电压
I
OL
，输出低电流
电源
AV
DD
DV
DD
V
P
I
DD 3
I
P3
掉电模式
民
4.0
10
典型值
最大
18.0
+10
350
单位
GHz的
DBM
兆赫
测试条件/评论
参见图1输入电路
10
0.8
400
DV
DD
10
±100
100
兆赫
V P-P
pF
A
兆赫
对于f < 10兆赫，确保压摆率> 50 V / μs的
偏置DV
DD
/ 2 ，当输入为交流耦合
可编程，参见图17
5.0
625
3
5.1
1
2
1
2
mA
A
%
k
nA
%
%
%
V
V
A
pF
V
V
A
V
A
V
V
V
mA
mA
A
有R
SET
= 5.1 k
有R
SET
= 5.1 k
见图17
T
A
= 25°C
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
0.5 V
0.5 V ≤ V
CP
≤ V
P
0.5 V
V
CP
= V
P
/2
SPI接口是1.8 V和3 V逻辑兼容
5.1
5.1
2
1.4
0.6
±1
10
1.4
DV
DD
0.4
500
0.4
500
2.85
2.85
2.85
27
4.5
1
3.15
3.15
3.15
30
5
选择漏极开路输出， 1 kΩ的上拉电阻
以1.8 V
CMOS输出选择
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
T
A
= 25°C
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