US2301
P沟道20V的快速开关MOSFET
电气特性（T
J
=25
中，除非另有说明）
US2301
分钟。
典型值。
马克斯。
符号
参数
测试条件
单位
静态特性
BV
DSS
漏源击穿电压
I
DSS
V
GS （ TH）
I
GSS
R
DS （ ON）
V
SD
零栅极电压漏极电流
栅极阈值电压
栅极漏电流
漏源导通电阻
二极管的正向电压
V
GS
= 0V时，我
DS
=-250
μ
A
V
DS
=-16V, V
GS
=0V
T
J
=85°C
V
DS
=V
GS
, I
DS
=-250
μ
A
V
GS
=±12V, V
DS
=0V
V
GS
= -4.5V ，我
DS
=-2.5A
V
GS
= -2.5V ，我
DS
=-2A
I
SD
= -0.5A ，V
GS
=0V
-20
-1
-30
-0.45
-0.7
85
110
-0.8
-1
±100
110
150
-1.3
V
μ
A
V
nA
m
Ω
V
栅极电荷特性
b
Q
g
总栅极电荷
Q
gs
Q
gd
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
V
DS
=-10V, V
GS
=-4.5V,
I
DS
=-2.5A
5
0.7
0.6
7
nC
符号
参数
测试条件
US2301
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
动态特性
b
R
G
栅极电阻
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
D（上）
T
r
t
D（关闭）
T
f
注意事项：
V
GS
=0V,V
DS
=0V,F=1MHz
V
GS
=0V,
V
DS
=-15V,
Frequency=1.0MHz
V
DD
= -10V ，R
L
=10
Ω
I
DS
= -1A ，V
根
=-4.5V,
R
G
=6
Ω
9.2
360
80
50
8
7
18
8
16
15
35
15
Ω
pF
输入电容
输出电容
反向传输电容
导通延迟时间
开启上升时间
打开-O FF延迟时间
关断下降时间
ns
一：脉冲测试;脉冲width≤300
μ
S，值班cycle≤2 ％ 。
B：由设计保证，不受生产测试。
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