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图9-3 。
闪存大小
闪1兆字节
2 * 8千字节
闪512千字节
2 * 8千字节
闪256千字节
2 * 8千字节
1 * 48千字节
1 * 48千字节
1 * 48千字节
3 * 64千字节
7 * 64千字节
15 * 64千字节
擦除存储器可以如下进行：
8K字节的512字节的页的一个扇区内，
注意：
EWP与EWPL命令可以只用在8千字节扇区。
一个4KB的块8字节/ 48字节/ 64字节扇区内
在8字节/ 48字节/ 64字节的扇区
芯片
9.1.3.2
增强的内置Flash控制器
增强型内置Flash控制器管理由的主人进行访问
系统。这使得能够读取闪存和写入的写入缓冲器。它还包含一个用户界面
脸，映射到APB 。
增强型内置Flash控制器保证了闪存块的接口。
它所管理的编程，擦除，锁定和解锁的闪存序列，采用全
一组命令。
其中一个命令返回，通知系统中的嵌入式闪存描述符的定义
关于闪存的组织，从而使软件通用的。
9.1.3.3
闪存速度
用户需要设置取决于所使用的频率的等待状态的数目：
有关详细信息，请参阅产品的“AC特性”小节“电气
特性“ 。
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SAM4S系列[初步]
11100BS–ATARM–31-Jul-12
