LTM2883
应用信息
PCB布局
高集成的LTM2883使得PCB布局
很简单的。然而，为了优化其电隔离
特性， EMI和散热性能，一些
布局的考虑是必要的。
在重负载条件下V
CC
和GND电流
可以超过300毫安。足够的铜，必须使用
在PCB上，以保证电阻损失不会导致
电源电压下降所允许的最小值以下
的水平。类似地，在V
CC2
和GND2导体必须
定尺寸，以支持任何外部负载的电流。这些
沉重的铜迹线也将有助于减少热
应力和提高热传导性。
输入和输出退耦是不需要的，因为这些
组件封装内集成。 AD-一个
ditional大容量电容6.8μF至22μF的值是
推荐使用。该电容的ESR高降低
板共振，减少引起的电压尖峰
由电源电压的热插拔。对于EMI敏感
应用中，一个额外的低ESL陶瓷电容器
1μF至4.7μF ，尽可能靠近电源和地
终端成为可能，建议。可替换地，一个
也可以使用更小的值并联电容数
减少ESL和达到相同的净电容。
不要将铜内同事之间的PCB上
垫UMNS 。这个区域必须保持打开承受
额定隔离电压。
为GND和GND2使用实心接地层
被推荐用于非电磁干扰关键应用
优化网络信号保真度，热性能，并
减少RF辐射，由于耦合的PCB走线
传导。使用接地平面的缺点
当EMI是关注的，是创造一个偶极子
它可以发射差分电压天线结构
GND和GND2之间形成。如果接地层
使用时，建议以减低区，和
使用连续的飞机作为任何开口或可拆分
加剧了RF辐射。
对于大型接地层的小电容（ ≤330pF ）
从GND到GND2 ，无论是离散的或嵌入
基底上，提供了一个低阻抗的电流返回
路径为模块的寄生电容，从而最小化
技术
任何高频差分电压，并且基本上
减少辐射。离散电容会
不到预期的效果，由于寄生的ESL 。此外，电压
年龄分级，泄漏和间隙必须考虑
对于组件的选择。嵌入电容
内的PCB基板提供了一种近乎理想的电容器
并消除元件选择问题;不过，
在PCB必须为4层。必须注意的行使
施加任何一种技术来保证的额定电压
阻挡层的不外泄。
在图14a和14b中的印刷电路板布局示出了低
EMI演示板的LTM2883 。该演示板的用途
电磁干扰缓解技术的组合，包括
包括嵌入PCB桥接电容和分立GND
到GND2电容。两个安全等级类型Y2电容器
串联使用，村田制造，零件号
GA342QR7GF471KW01L 。嵌入式电容EF -
fectively抑制排放400MHz以上，而
离散电容更有效跌破400MHz的。
EMI性能示于图15中，使用测得的
一个吉赫兹横电磁波（ GTEM ）单元和
方法IEC 61000-4-20详述，测试和测量
换货技术 - 辐射抗扰性测试中
横向电磁波导。
图14A 。 LTM2883的低EMI演示电路板布局
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