ADG528A/ADG529A
ADG528A
ADG529A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
0.6
1.5
I
SS
功耗
20
0.2
10
2.8
记
1
在+ 25 ° C样品测试，以确保合规性。
特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
参数
电源
I
DD
ADG528A
ADG528A
ADG529A
ADG529A
B版本
T版
-40 ° C至
-55℃
+25°C +85°C
+25°C +125°C
0.6
1.5
20
0.2
10
2.8
10
2.8
20
0.2
0.6
1.5
单位
评论
毫安（典型值） V
IN
= V
INL
或V
INH
最大mA
A
典型值
V
IN
= V
INL
或V
INH
最大mA
毫瓦（典型值）
毫瓦MAX
单电源
(V
DD
= 10.8 V至16.5 V ，V
SS
= GND = 0V时，除非另有说明。 ）
ADG528A
ADG529A
K版
-40 ° C至
+25°C +85°C
GND GND
V
DD
V
DD
500
ADG528A
ADG528A
ADG529A
ADG529A
B版本
T版
-40 ° C至
-55℃
+25°C +85°C
+25°C +125°C
GND GND
V
DD
V
DD
500
1000
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
1000
GND GND
V
DD
V
DD
500
700
0.6
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
1000
5
50
100
50
100
50
25
50
100
50
100
50
25
参数
模拟开关
模拟信号范围
R
ON
单位
V分钟
V最大
典型值
评论
R
ON
漂移
R
ON
MATCH
I
S
（关） ，关闭输入
泄漏
I
D
（关） ，关闭输入
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
D
（上） ，在通道
泄漏
ADG528A
ADG529A
I
差异
，差分关闭
输出漏
（ ADG529A只）
700
0.6
5
0.02
1
0.04
1
1
0.04
1
1
最大
％/℃典型值GND
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
- 0.5毫安
％ （典型值）
GND
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
- 0.5毫安
nA的典型值
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的典型值
nA的最大
nA的最大
nA的最大
GND
≤
V
S
≤
+10 V，I
DS
= 0.5毫安;
测试电路1
50
100
50
100
50
25
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路2
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路3
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路4
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路5
数字控制
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INL
还是我
INH
C
IN
数字输入
电容
8
动态特性
1
t
过渡
300
t
开放
t
ON
（ EN ，
WR ）
t
关闭
（ EN ，
RS）
t
W
把脉冲宽度
450
50
25
250
450
250
450
100
2.4
0.8
1
8
300
600
10
600
600
120
450
50
25
250
450
250
450
100
2.4
0.8
1
8
300
600
10
600
600
120
450
50
25
250
450
250
450
100
2.4
0.8
1
V分钟
V最大
A
最大
pF的最大
纳秒（典型值）
V
IN
= 0至V
DD
V1 = + 10V / GND ， V2 = GND / + 10 V ;
测试电路6
测试电路7
测试电路8和9的
测试电路8和10
见图1
600
10
600
600
130
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最小值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
纳秒（典型值）
ns（最大值）
ns（最小值）
版本B
–3–
