RT9607/A
通过以下因素来决定。
在实践中，一个低值电容器C
B
会导致可能损坏IC的过充。因此，要尽量减少风险
过度充电，减少对V的纹波
CB
时，自举电容应不大于0.1μF较小，较大的
就更好了。在一般的设计，采用1μF可以提供更好的性能。至少一个低ESR的电容，应使用
提供良好的局部去耦。这里，采用任一陶瓷或钽电容是合适的。
D1
V
IN
12V
L1
1.2uH
C1
1000uF
Q1
L2
2uH
C5
1500uF
Q2
PHB95N03LT
PHB83N03LT
R1
14
VCC
PVCC
5
C7 10
1uF
12V
C2
1uF
Cb1
1uF
11
BOOT1
12
13
UGATE1
PHASE1 PWM1 1
RT9607/A
PWM1
4
LGATE1
PWM2
2
PWM2
9
C3
1000uF
Q3
L3
2uH
C6
1500uF
V
CORE
Q4
PHB83N03LT
C4
1uF
UGATE2
PHASE2
LGATE2
GND
保护地
3
6
8
7
Cb2
1uF
BOOT2
10
D2
PHB95N03LT
图2.两相同步降压转换器电路
PVCC
VIN
BOOT1
UGATE1
PHASE1
PVCC
LGATE1
保护地
+
C
B
V
CB
-
图3.部分RT9607 / A的自举电路
DS9607 / A- 2011年4月7日
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