PBLS4004D
40 V PNP BISS loadswitch
牧师02 - 2005年7月19日
产品数据表
1.产品廓
1.1概述
PNP低V
CESAT
突破性小信号（ BISS ）晶体管和NPN电阻 -
配备晶体管（ RET）在SOT457 （ SC- 74 ）小型表面贴装器件（ SMD ）
塑料封装。
1.2产品特点
s
s
s
s
s
低V
CESAT
（ BISS ），并在一个封装电阻配备晶体管
低阈值电压（ < 1伏）相比， MOSFET的
要求低驱动功率
节省空间的解决方案
减少元件数量
1.3应用
s
s
s
s
供电线路开关
电池充电器的开关
高边开关的LED ，驱动器和背光
便携式设备
1.4快速参考数据
表1：
符号
V
首席执行官
I
C
R
CESAT
快速参考数据
参数
集电极 - 发射极电压
集电极电流（ DC ）
集电极 - 发射极饱和
阻力
集电极 - 发射极电压
输出电流
偏置电阻器1 （输入）
偏置电阻率
I
C
=
500
毫安;
I
B
=
50
mA
开基
条件
开基
[1]
[2]
民
-
-
-
典型值
-
-
240
最大
40
1
340
单位
V
A
m
TR1 ; PNP低V
CESAT
晶体管
TR2 ; NPN电阻配备晶体管
V
首席执行官
I
O
R1
R2/R1
[1]
[2]
-
-
15.4
0.8
-
-
22
1
50
100
28.6
1.2
V
mA
k
设备安装在陶瓷印刷电路板（ PCB ） ，铝
2
O
3
，标准的足迹。
脉冲测试：吨
p
≤
300
s; δ ≤
0.02.
