FDP8N50NZF / FDPF8N50NZF N沟道MOSFET
2012年2月
的UniFET -II
TM
FDP8N50NZF / FDPF8N50NZF
N沟道MOSFET
500V ，7A， 1Ω
特点
R
DS （ ON）
= 0.85Ω （典型值） @ V
GS
= 10V ，我
D
= 3.25A
低栅极电荷（典型值14nC ）
低C
RSS
（典型的5pF ）
快速开关
100 ％雪崩测试
改进dv / dt能力
ESD性能改进
符合RoHS
描述
这种N沟道增强型功率场效应晶体管
采用飞兆半导体专有的，平面条形， DMOS生产
技术。
这种先进的技术已特别针对
最大限度地减少通态电阻，优越的开关
性能，并能承受高能量脉冲雪崩
和减刑模式。这些装置非常适用于高
高效率开关模式电源和有源功率因数
校正。
D
G
摹 S
TO-220
FDP系列
GDS
TO-220F
FDPF系列
（盆栽）
S
MOSFET的最大额定值
T
C
= 25
o
C除非另有说明
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
DM
E
AS
I
AR
E
AR
dv / dt的
P
D
T
J
, T
英镑
T
L
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流
单脉冲雪崩能量
雪崩电流
重复性雪崩能量
峰值二极管恢复的dv / dt
功耗
(T
C
= 25 C)
- 减免上述25℃
o
o
参数
FDP8N50NZF FDPF8N50NZF
500
±25
25
o
C)
o
单位
V
V
- 连续（T
C
=
- 脉冲
7
4.2
（注1 ）
（注2 ）
（注1 ）
（注1 ）
（注3）
130
1
-55到+150
300
28
93
7
13
20
7*
4.2*
28*
- 连续（T
C
= 100 C)
A
A
mJ
A
mJ
V / ns的
40
0.32
W
W/
o
C
o
o
工作和存储温度范围
最大无铅焊接温度的目的，
1/8 ？从案例5秒
C
C
*漏电流受最高结温
热特性
符号
R
θJC
R
θCS
R
θJA
参数
热阻，结到外壳
热电阻，案件下沉典型。
热阻，结到环境
FDP8N50NZF
0.96
0.5
62.5
FDPF8N50NZF单位
3.1
-
62.5
o
C / W
2012仙童半导体公司
FDP8N50NZF / FDPF8N50NZF版本C0
1
www.fairchildsemi.com
