MC33501 ， MC33503
一般信息
该MC33501 / 503双通道运算放大器的独特之处
它提供两个1.0 V电压轨至轨性能的能力
的输入和输出用的SMARTMOS 过程。该
在50 mV的两条轨道，并为放大器的输出摆幅
能提供的输出驱动电流为50 mA的5.0 V
电源和10 mA的1.0 V电源。 A 5.0 MHz的
带宽和3.0 V / μs的压摆率实现高
速度耗尽型NMOS （ DNMOS ）和垂直PNP
晶体管。该装置的特征在于在一个温度
范围为-40° C至105 ℃。
电路信息
输入级
输出级
轨至轨性能，在实现一伏
MC33501 / 503在输入端通过使用单一的一对耗尽的
型NMOS器件（ DNMOS ），以形成一个差动
放大器， 40为fA一个非常低的输入电流。正常
输入共模范围内的DNMOS装置，用离子
植入负阈值，包括地面，并依赖于
体效应的阈值动态地改变到
因为门是从地面走向正值
正电源。因为该设备在制造
邑阱工艺，体效应系数是足够
大，以确保在输入级将基本保持
当输入为正供电轨饱和。这也
适用于非常低的电源电压。 1.0 V电压轨至轨
输入级包括一个DNMOS差分放大器，一个
折叠级联和一个低电压平衡镜子。低
电压级联平衡镜提供了高一期
增益和基极电流消除不牺牲信号
诚信。还有，输入偏置电压被调整到小于
因为在有限的电源电压超过1.0毫伏。
输入的本体电压DNMOS差动对是
内部调整以最小化输入偏移电压。一
共模反馈通路还用于使所述
偏移电压以跟踪在输入共模电压。
总运算放大器的静态电流降
1.3毫安/放大器。
此装置的一个附加特征是一个“按需”
基极电流消除放大器。此功能提供
基极驱动到输出功率器件通过利用一个
缓冲放大器来执行一个电压 - 电流
转换。这是成正比进行的负载
条件。这种“点播”功能可以让这些
放大器消耗只有几个微安的电流的
当输出级处于其静止模式。然而，这
提供高的输出电流在负载需要时。该
轨到轨输出级电流升压电路提供
50 mA输出电流，具有5.0 V电源（对于1.0 V
电源输出级会做10 mA）的使能操作
放大器驱动600
W
负载。缓冲区是必要的
隔离在从所述输出级的负载电流的影响
输入级。因为在低电压情况下，一
DNMOS跟随器是用来提供一个基本为零
电压电平移位。这个缓冲区隔离任何负载电流
从加载的输入级到输出级的变化。一
高速垂直PNP晶体管提供了极好的
频率性能，同时输出电流。该
运算放大器也被内部补偿，以
提供60度的相位裕度。它有一个单位增益
5.0 MHz的5.0 V电源和4.0 MHz的1.0 V
供应量。
低电压操作
该MC33501 / 503将在从电源电压下工作
为0.9 7.0 V和地面。当使用MC33501 / 503处
小于1.2伏，输入偏置电压的电源电压可
略有增加的输入信号范围内波动
大约50毫伏的正电源轨。这种效应
只发生在低于1.2 V电源电压时，由于输入
开始之间的过渡耗尽型MOSFET
饱和线性区域，应考虑
设计在操作高压侧直流传感应用
正电源轨。由于该设备是轨对轨上既
输入和输出，高动态范围的单电池
应用成为可能。
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