FLS3217 / FLS3247 - 单级PFC初级端调节离线LED驱动器，集成功率MOSFET
电气特性
除非另有规定ED ，V
DD
= 15V和T
A
=25°C.
符号
MOSFET部分
BV
DSS
R
DS （ ON）
参数
漏源击穿电压
静态漏源
FLS3217N
抗性
FLS3247N
输入电容
FLS3217N
FLS3247N
FLS3217M
FLS3217M
条件
I
D
= 250μA ，V
GS
=0V
I
D
= 0.5A ，V
GS
=10V
I
D
= 1A ，V
GS
=10V
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f
S
=1MHz
分钟。
700
典型值。
马克斯。
单位
V
13
8.8
2.4
175
250
435
23
25
51
14.5
6.75
16.0
7.75
4.00
2
22.0
23.5
65
23.5
2.35
0.85
14
2.500
2.43
300
16
11.0
2.8
200
pF
pF
pF
FLS3217M
C
国际空间站
C
OSS
V
DD
部分
V
DD -ON
V
DD -OFF
I
DD -OP
I
DD -ST
V
OVP
f
MAX -CC
f
MIN -CC
VS
MAX -CC
VS
MIN -CC
t
开（ MAX）的
V
RV
V
CCR
t
LEB
t
民
t
PD
D
SAW
t
DIS- BNK
I
VS- BNK
输出电容FLS3217N
FLS3247N
导通阈值电压
关断阈值电压
工作电流
启动电流
V
DD
过电压保护水平
在CC最大频率
最低频率的CC
VS中的CC最大频率
VS的最小频率的CC
最大开启时间
参考电压
变异测试电压的CS引脚
对于恒流调节
前沿消隐时间
最小导通时间在CC
传播延迟至GATE
产量
SAW限制器的占空比
t
DIS
VS消隐时间
VS电流的VS消隐
V
GS
=0V, V
DS
=25V,
f
S
=1MHz
25
pF
pF
pF
17.5
8.75
5.00
20
25.0
70
26.0
2.45
1.15
16
2.525
2.48
V
V
mA
μA
V
千赫
千赫
V
V
s
V
V
ns
ns
V
S
= 2.4V ，C
L
「 MOSFET
C
国际空间站
V
DD
=V
DD -ON
– 0.16V
2.85
振荡器部分
V
DD
=10V, 20V
V
DD
=10V, 20V
频率=最大
Frequency-2kHz
频率=最小
频率为1kHz +
60
21.0
2.25
0.55
12
2.475
V
CS
=0.24V
2.38
电流检测科
V
VS
=-0.5V, V
CS
=1.5V
50
600
100
40
1.5
100
150
ns
%
s
A
续下页...
2012仙童半导体公司
FLS3217 / FLS3247 版本1.0.0
www.fairchildsemi.com
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