WM9093
电源去耦
生产数据
电耦合的存在特别是在数字逻辑系统中的切换在1副系统
导致对电源波动的影响。这种效果是因为电源的电感
供给作用在反对了由逻辑开关所引起的电流变化的流动。该
得到的变体（或“尖峰” ）中，电源电压会导致故障和无意
行为的其他组件。去耦（或“旁路” ）的电容可以被用作能量存储
组分，将电力提供给去耦电路，用于对这些电源的持续时间
变型中，保护其免受可能以其他方式发生故障。
耦合也发生在一个较低的频率形式时纹波存在于电源轨
变化引起的负载电流或由电源调节方法的局限性。在
音频组件，如WM9093 ，这些变化可以改变的信号的性能
路径，从而导致退化的信号质量。去耦（或“旁路” ）的电容可以用于过滤
这些效果，通过呈现的脉动电压的低阻抗路径，这并不影响
电路进行去耦。
这些耦合效应由放置一个电容供电轨和之间寻址
相应地参考。在包括多个电源轨系统的情况下，
应设置在每个轨道脱钩。
为WM9093的推荐电源去耦电容列在下面的表36 。
电源
HPVDD
SVDD
去耦电容
2.2μF陶瓷
0.1μF的陶瓷（见注）
表36电源去耦电容
注意： 0.1μF ，需要用2.2μF至所需的总功率轨电容的指南。
所有的去耦电容应尽可能靠近该WM9093设备。该
GND之间连接时， HPVDD去耦电容器和主系统地面应
在单点尽可能靠近到WM9093的AGND球制成。
偏置电容不大，技术上，一个去耦电容。然而，它确实起到了类似的
目的在VMID参考滤除噪声。 GND之间的连接，所述偏置去耦
电容器与所述主系统接地应在单个点尽可能接近到进行
GND球WM9093的。
由于多种类型的陶瓷电容器具有很大的容差，必须小心，以确保
选定的组件提供跨越所需的温度和电压所需的电容
范围中的预期应用。对于大多数的应用中使用陶瓷电容器用的电容器的
X5R电介质建议。
耳机输出路径
在WM9093耳机输出接地参考，因此并不需要大，
为VMID参考解决方案所需的昂贵的电容。为了获得最佳的音频性能，它是
推荐给佐贝尔网络连接到所述音频输出管脚。这种网络应包含一个
100nF的电容和20ohm电阻相互串联（参见“模拟输出”一节） 。
这些成分具有抑制高频振荡或不稳定，可效果
在一定条件下产生的声音频带之外。这些不稳定性的可能来源包括：
耳机线圈的电感性负载或外部线路放大器形式的有源负载。
D类扬声器连接
该WM9093集成了D类扬声器驱动器。默认情况下，扬声器驱动器工作在类
D模式，提供了高效率的功放在大信号电平。作为D类放大器的输出是一个脉冲
宽度调制（PWM）信号，扬声器的信号的选择和跟踪对于保证临界
良好的性能，在这种模式下降低EMI 。
的扬声器驱动器的效率是受WM9093和之间的串联电阻
的扬声器（例如，印刷电路板轨道损耗和电感器的ESR ），为如图17所示。这个电阻应
尽可能低，以使效率最大化。
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PD ， 2012年3月，版本4.2
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