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D
R
A
FT
D
R
A
FT
恩智浦半导体
LPC81xM
FT
FT
D
D
R
R
A
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FT
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R
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FT
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A
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A
FT
32位ARM Cortex -M0 +微控制器
FT
D
A
D
R
A
W
& + & ;
W
&分之& +
R
A
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D
R
FT
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A
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D
A
F
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A
FT
W
& + & /
W
&分之& ;
D
D
7
F \\ ？ FON
R
A
FT
D
DDD
R
A
图25.外部时钟定时（至少有V的振幅
我（ RMS）
= 200毫伏）
11.4内部振荡器
表13.动态特性：内部振荡器
T
AMB
=
40 C
+85
C;
2.7 V
V
DD
3.6 V.
[1]
符号
f
OSC （ RC ）
[1]
[2]
参数
条件
民
11.88
典型值
[2]
12
最大
12.12
单位
兆赫
内部RC振荡器频率 -
参数是有效的工作温度范围内，除非另有规定ED 。
典型的收视率都不能保证。所列的值是在室温（ 25
C),
标称电源
电压。
X
X
(X)
X
001aac984
X
X
<tbd>
X
X
X
X
X (X)
X
X
X
条件：频率值是标准值。 <tbd> 。
图26.内部RC振荡器频率与温度的关系
LPC81xM
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目标数据表
1.0版 - 2012年11月7日
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