UM4003
P沟道40V的快速开关MOSFET
典型特征
12
50
I
D
=-8A
10
-I
D
漏电流（ A）
V
GS
=-10V
8
6
4
2
V
GS
=-5V
V
GS
=-4.5V
V
GS
=-3V
20
0
0
-V
DS
，漏极至源极电压（ V）
0.5
1
1.5
2
R
DSON
(m)
V
GS
=-7V
40
30
4
6
-V
GS
(V)
8
10
图1典型的输出特性
8
10
图2导通电阻v.s栅源
V
DS
=-20V
-I
S
源电流（ A）
6
4
-V
GS
门源电压（ V）
I
D
=-1A
7.5
5
2
T
J
=150℃
T
J
=25℃
2.5
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
5
-V
SD
，源极到漏极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
10
15
20
25
反向图3正向特性
1.5
2.0
图4栅极电荷特性
1
0.5
0
-50
归一化导通电阻
归V
GS （ TH）
1.5
1.0
0.5
T
J
，结温（ ℃ ）
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（ ℃ ）
图5归V
GS （ TH）
v.s牛逼
J
图6归
DSON
v.s牛逼
J
3
