UM3301
N沟道和P沟道快速开关MOSFET
N沟道典型特征
10
27
V
GS
=10V
8
I
D
=10A
V
GS
=3V
24
I
D
漏电流（ A）
V
GS
=7V
6
V
GS
=4.5V
4
2
0
0
R
DSON
(m )
V
GS
=5V
21
18
15
V
DS
漏极至源极电压（ V）
0.5
1
1.5
2
4
V
GS
(V)
6
8
10
图1典型的输出特性
10
6
图2导通电阻与G- S间电压
V
DS
=20V
V
GS
，门源电压（ V）
8
I
D
=10A
I
S -
源电流（ A）
4.5
6
T
J
=150
4
T
J
=25
3
2
1.5
0
0
0.3
0.6
0.9
0
0
2.5
V
SD
，源极到漏极电压（V ）
Q
G
，总栅极电荷（ NC）
5
7.5
10
反向图3正向特性
1.8
图4栅极电荷特性
2.1
1.4
1
0.6
0.2
-50
归一化导通电阻
1.8
1.5
归V
GS （ TH）
1.2
0.9
0.6
0.3
T
J
，结温（ ）
0
50
100
150
-50
0
50
100
150
T
J
，结温（ ）
图5 V
GS （ TH）
与T
J
图6归
DSON
与T
J
4
