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静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA07M4452M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率，
和输入VSWR与频率的关系
10
输出功率P
OUT
(W)
9
输入VSWR
ρ
in
(-)
8
7
6
5
4
3
2
1
0
430
450
470
490
510
频率f（ MHz）的
ρ
in
@P
OUT
=6.5W
η
T
@P
OUT
=6.5W
V
DD
=7.2V
P
in
= 50米W
P
OUT
@V
GG
=3.5V
2
nd
, 3
rd
谐波与频率的关系
100
80
70
60
50
40
30
20
10
总有效率
η
T
(%)
90
-20
-30
-40
-50
-60
3
rd
@P
OUT
=6.5W
V
DD
=7.2V
P
in
= 50米W
谐波（ DBC）
2
nd
@P
OUT
=6.5W
0
530
-70
430
450
470
490
频率f（ MHz）的
510
530
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
40
30
20
I
DD
f=440MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
Gp
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
10
输出功率P
OUT
（ dBm的）
漏电流I
DD
(A)
8
6
4
2
0
50
40
30
20
I
DD
f=480MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
P
OUT
10
8
6
4
2
0
-10
-5
0
5
10
输入功率P
in
（ dBm的）
15
20
漏电流
I
DD
(A)
功率增益的Gp （分贝）
Gp
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
10
0
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
（ dBm的）
40
30
20
I
DD
f=520MHz,
V
DD
=7.2V,
V
GG
=3.5V
10
8
6
4
2
0
漏电流I
DD
(A)
P
OUT
功率增益的Gp （分贝）
Gp
10
0
-10
-5
0
5
10
输入功率P
in
（ dBm的）
15
20
输出功率和漏电流
与漏极电压
16
输出功率P
OUT
(W)
14
12
10
8
6
4
2
0
4
5
6
7
漏极电压V
DD
(V)
8
9
0
I
DD
f=440MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
= 50米W
P
OUT
输出功率和漏电流
与漏极电压
8
输出功率P
OUT
(W)
16
14
12
10
8
6
4
2
0
4
5
6
7
漏极电压V
DD
(V)
8
9
0
I
DD
f=480MHz,
V
GG
=3.5V,
P
in
= 50米W
P
OUT
8
漏电流I
DD
(A)
6
6
4
4
2
2
RA07M4452M
漏电流I
DD
(A)
2010年6月30日
3/9
