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静电敏感器件
观察处理注意事项
硅射频功率半导体
符合RoHS标准
RA07M4047M
典型性能
(T
例
= + 25 ° C，Z
G
=Z
L
= 50Ω ，除非另有规定）
输出功率，总有效率，
和输入VSWR与频率的关系
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
输出功率P
OUT
(W)
输入VSWR
ρ
in
(-)
P
OUT
@V
GG
=3.5V
2
nd
, 3
rd
谐波与频率的关系
-20
总有效率
η
T
(%)
谐波（ DBC）
η
T
@P
OUT
=6.5W
V
DD
=7.2V
P
in
=50mW
ρ
in
@P
OUT
=6.5W
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
-30
-40
-50
-60
3
rd
@P
OUT
=6.5W
nd
2
@P
OUT
=6.5W
V
DD
=7.2V
P
in
=50mW
39 40 41 42 43 44 45 46 47 48
频率
0 0 0 0 0 0
F（兆赫）
0 0 0
0
-70
390 400 410 420 430 440 450 460 470 480
频率f（ MHz）的
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
漏电流I
DD
(A)
P
OUT
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
40
30
8
6
Gp
40
30
20
P
OUT
8
6
4
Gp
20
I
DD
4
2
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
I
DD
10
0
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
2
0
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
输出功率，功率增益和
漏极电流与输入功率
50
输出功率P
OUT
（ dBm的）
功率增益的Gp （分贝）
漏电流I
DD
(A)
P
OUT
10
f=450MHz
V
DD
=7.2V
V
GG
=3.5V
P
OUT
40
30
20
8
6
4
I
DD
40
30
8
6
Gp
Gp
20
I
DD
4
2
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
10
0
-10
-5
0
5
10
15
20
输入功率P
in
（ dBm的）
2
0
10
0
RA07M4047M
2010年6月30日
3/9
漏电流I
DD
(A)
f=470MHz
V
DD
=7.2V
V
GG
=3.5V
10
漏电流I
DD
(A)
f=400MHz
V
DD
=7.2V
V
GG
=3.5V
10
10
f=420MHz
V
DD
=7.2V
V
GG
=3.5V
