三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21993-4E/-4AE/-4CE/-4EW
模内转印式
绝缘型
系统总
参数
自我保护限制电压
V
CC （ PROT ）
（短路保护功能）
工作壳温
T
C
T
英镑
储存温度
V
ISO
隔离电压
符号
条件
V
D
= 13.5 16.5V ，逆变部分
T
j
= 125 ℃，非重复，小于2μs的
（注2 ）
60Hz的正弦， 1分钟，
销与散热板之间
评级
400
–20~+100
–40~+125
1500
单位
V
°C
°C
V
RMS
注2 ：
T
C
测量点
控制端
DIPIPM
11.6mm
3mm
IGBT芯片位置
FWDI芯片位置
电源端子
T
C
点
散热器侧
热阻
符号
R
日（J -C ） Q
R
日（J -C ）F
参数
结到外壳热
阻力
（注3）
条件
IGBT逆变器部分（每1/6模块）
变频器FWDI部分（每1/6模块）
分钟。
—
—
范围
典型值。
—
—
马克斯。
4.1
5.4
单位
° C / W
° C / W
注3 ：
脂具有良好的导热性和长期质量应均匀以+为100μm 200μm的+被施加在接触
DIPIPM和散热器的表面上。
壳体和散热器之间（接触热阻R
TH（ C-F ）
）由厚度和热导率决定
应用的油脂。
供参考，R
TH（ C-F ）
（每1/6模块）为约0.3 °C / W时，润滑脂的厚度为20μm ，热传导率为1.0W / mK的。
电气特性
(T
j
= 25 ℃，除非另有说明）
逆变部分
符号
V
CE （ SAT ）
V
EC
t
on
t
rr
t
C（ ON）
t
关闭
t
C（ OFF）
I
CES
参数
集电极 - 发射极饱和
电压
FWDI正向电压
V
D
= V
DB
= 15V
条件
I
C
= 8A ，T
j
= 25°C
分钟。
—
—
—
0.60
—
—
—
—
—
—
范围
典型值。
1.60
1.70
1.90
1.10
0.30
0.40
1.50
0.40
—
—
马克斯。
2.10
2.20
2.35
1.70
—
0.60
2.35
1.00
1
10
单位
V
V
s
s
s
s
s
mA
V
IN
= 5V
I
C
= 8A ，T
j
= 125°C
T
j
= 25 ° C， -I
C
= 8A ，V
IN
= 0V
V
CC
= 300V, V
D
= V
DB
= 15V
I
C
= 8A ，T
j
= 125°C ，V
IN
= 0
5V
感性负载（上，下臂）
开关时间
集电极 - 发射极截止
当前
V
CE
= V
CES
T
j
= 25°C
T
j
= 125°C
2008年9月
5
