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三菱半导体<Dual列直插封装智能功率Module>
PS21963-4E/-4AE/-4CE/-4EW
模内转印式
绝缘型
[C]欠压保护（上侧，紫外线
DB
)
C1 。控制电源电压上升：当电压达到UV
DBR
时，电路启动时，下一个输入被施加到操作。
C2 。正常工作： IGBT导通，并加载负载电流。
C3 。欠电压脱扣（UV
DBT
).
C4 。 IGBT的关断，不管控制输入端的信号电平，但有没有F
O
信号输出。
C5 。欠压复位（UV
DBR
).
C6 。正常工作： IGBT导通，并加载负载电流。
控制输入
保护电路的状态
UV
DBR
控制电源电压V
DB
RESET
SET
RESET
c1
UV
DBT
c5
c3
c4
c6
c2
输出电流Ic
高级别（无故障输出）
故障信号输出Fo
图。 9建议MCU的I / O接口电路
5V线
10k
DIP -IPM
U
P
,V
P
,W
P
,U
N
,V
N
,W
N
MCU
Fo
V
NC
（逻辑）
注意：
RC耦合在每个输入端（虚线部分）的设置取决于PWM控制方案和
在印刷电路板的布线阻抗。
DIP-IPM的输入部分集成了3.3kΩ（最小）的下拉电阻。因此，当使用外部
滤波电阻，注意导通阈值电压。
3.3kΩ（最小）
图。分流电阻10接线
DIP -IPM
布线电感应小于10nH到。
相当于铜的电感
在宽度为3毫米的尺寸格局，
厚度为100微米= ，长17mm
V
NC
N
分流电阻器
请把接地线连接
分流电阻至V的
NC
终奌站
尽可能接近。
2007年8月
9
