288MB ： X36 ， X18 ， X9 2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
， HSTL ， RLDRAM II
特点
288MB CIO低延迟（ RLDRAM
II)
MT49H8M36
MT49H16M18
MT49H32M9
对于最新的数据资料，请参考美光公司网站： www.micron.com/rldram
特点
400 MHz的DDR操作（ 800 Mb / s的/引脚数据速率）
组织
8梅格×36 ，梅格16 ×18和32梅格×9
8银行
循环交换银行的最大带宽
减少周期时间（ 20ns的400兆赫）
非复用地址（地址复用
可选项）
SRAM型接口
可编程读取延迟（ RL ） ，行周期时间，
和突发序列长度
平衡的读写延时，以
优化数据总线利用率
用于写命令的数据面膜
差分输入时钟（ CK ， CK ＃ ）
差分输入数据时钟（ DKX ， DKX ＃ ）
片上生成的DLL CK边沿对齐数据
数据输出时钟信号
数据有效信号（ QVLD ）
32ms的刷新（ 8K刷新每家银行; 64K刷新
必须在每个总要为32ms发出命令）
144球μBGA封装
HSTL I / O （ 1.5V或1.8V标称）
25Ω ， 60Ω匹配阻抗输出
2.5V V
EXT
, 1.8V V
DD
， 1.5V或1.8V V
DD
Q I / O
片上端接（ ODT ）R
TT
表1：
有效的部件号
描述
8梅格×36 RLDRAM II
梅格16 ×18 RLDRAM II
梅格32 ×9 RLDRAM II
图1：
144球μBGA
选项
时钟周期时序
为2.5ns （ 400兆赫）
3.3ns （ 300兆赫）
为5ns （ 200兆赫）
配置
8梅格×36
梅格16 ×18
梅格32 ×9
工作温度范围
广告
0 °到+ 95°C
产业
T
C
= -40 ° C至+ 95°C
T
A
= -40 ° C至85°C ）
包
144球μBGA
（ 11毫米X 18.5毫米，无铅）
记号
-25
-33
-5
MT49H8M36
MT49H16M18
MT49H32M9
无
IT
产品型号
MT49H8M36FM-xx
MT49H16M18FM-xx
MT49H32M9FM-xx
FM
BM
1
注意事项： 1，联系美光的无铅可用性
产品。
PDF ： 09005aef80a41b46 /来源： 09005aef809f284b
MT49H8M36_1.fm - 牧师 8/05 EN
1
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