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CY7C1366C ， CY7C1367C
9兆位（ 256千×五百十二分之三十六K＆times 18 ）
流水线DCD同步SRAM
9兆位（ 256千×五百十二分之三十六K＆times 18 ）流水线DCD同步SRAM
特点
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功能说明
该CY7C1366C / CY7C1367C SRAM集成256千× 36
有512K × 18的SRAM单元有先进的同步外设
电路和一个2位计数器，对内部突发操作。所有
同步输入端通过由一个控制寄存器控
正边沿触发的时钟输入（CLK） 。同步
输入包括所有地址，所有的数据输入，地址流水线
片选（ CE
1
） ，深度扩展芯片启用（ CE
2
和
CE
3[1]
） ，突发控制输入（ ADSC ， ADSP和ADV ） ，写
启用（ BW
X
和BWE ）和全局写（GW） 。异步
输入包括输出使能（ OE ）和ZZ引脚。
地址和芯片使注册在上升沿
时钟时，无论是地址选通处理器（ ADSP ）或地址
频闪控制器（ ADSC ）是活动的。随后爆
地址可以被内部产生由作为控制
提前销（ ADV ） 。
地址，数据输入，并写入控制记录片
启动自定时写cycle.This部分支持字节写
行动（见
引脚定义第6页
和
部分真理表
第9页上的读/写
对于进一步的细节） 。写周期可
一到四个字节宽的字节写入控制的控制
输入。 GW低电平有效使写入所有字节。这
器件集成了一个额外的流水线使能寄存器，
延迟关闭输出缓冲的额外周期时
取消执行。通过此功能，深度拓展
没有惩罚的系统性能。
该CY7C1366C / CY7C1367C从+ 3.3V的核心运行
电源同时所有输出与+ 3.3V或+ 2.5V工作
供应量。所有输入和输出都符合JEDEC标准
JESD8-5-compatible.
支持总线运行在高达166 MHz的
可用的速度等级为166 MHz的
注册的输入和输出的流水线操作
最佳性能（双循环取消选择）
- 深度扩展无等待状态
3.3 V - 5 ％和+ 10％的核心供电（V
DD
)
2.5 V / 3.3 V的I / O电源（V
DDQ
)
快时钟到输出时间
3.5纳秒（ 166 MHz器件）
提供高性能3-1-1-1接入速率
用户可选的突发计数器支持Intel
奔腾
交错式或线性突发序列
独立的处理器和控制器地址选通
同步自定时写
异步输出使能
可提供无铅100引脚TQFP和非无铅119球
BGA封装
IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描
“ ZZ ”睡眠模式选项
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选购指南
描述
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
166兆赫
3.5
180
40
单位
ns
mA
mA
记
1. CE
3
对于100引脚TQFP封装。 119球BGA仅在2芯片使能提供。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 38-05542牧师*
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2012年9月26日
