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初步
64千位（为8K × 8 ）串行（ I C ）的nvSRAM
64千位（为8K × 8 ）串行（I
2
C）的nvSRAM
CY14MB064J1A/CY14MB064J2A
CY14ME064J1A/CY14ME064J2A
2
特点
■
■
64千位的非易失性静态随机存取存储器（的nvSRAM ）
内部组织为为8K × 8
商店到QuantumTrap发起非易失性元素
在自动断电（自动存储）或使用我
2
C
命令（软件商店）
召回SRAM上电启动（上电
RECALL ），或通过我
2
C命令（软件RECALL ）
自动STORE上具有小电容的掉电
（除CY14MX064J1A ）
■
高可靠性
无限的读，写和召回周期
百万STORE周期来QuantumTrap
数据保存： 20年85
C
2
■
高速I 2 C接口
行业标准的100 kHz和400 kHz的速度
快速模式Plus ： 1 MHz的速度
高速： 3.4兆赫
零周期延迟读取和写入
■
写保护
硬件保护利用写保护（ WP ）引脚
1/4的软件块保护， 1/2 ，或整个阵列
2
■
I C访问特殊功能
非易失性存储/调用
8字节序列号
制造商ID和产品ID
睡眠模式
■
低功耗
1毫安在3.4 MHz运行的平均工作电流
120 μA的平均待机模式电流
8 μA睡眠模式电流
行业标准配置
工作电压：
CY14MB064J ： V
CC
= 2.7 V至3.6 V
CY14ME064J ： V
CC
= 4.5 V至5.5 V
工业温度
8引脚小外形集成电路（ SOIC）封装
有害物质限制（RoHS ）标准
概观
赛普拉斯CY14MX064J结合了64千位的nvSRAM
[1]
同
非易失性元件中的每个存储单元。内存
组织为8 K字的每个字节8位。嵌入式
非易失性元素纳入QuantumTrap技术，
创造了世界上最可靠的非易失性存储器。该
的SRAM提供了无限的读写周期，而
QuantumTrap细胞提供了高度可靠的非易失性存储
数据。数据需要从SRAM到非易失性元件
（ STORE操作）会自动发生在电源关闭
（除CY14MX064J1A ） 。上电时，数据被恢复到
从非易失性存储器（ RECALL操作）的SRAM 。
在存储和调用操作也可以通过启动
通过我的用户
2
C命令。
CON组fi guration
特征
自动存储
软件商店
从地址引脚
CY14MX064J1A
No
是的
A2, A1, A0
CY14MX064J2A
是的
是的
A2, A1
逻辑框图
编号
8x8
V
CC
V
帽
制造商ID /
产品编号
内存控制寄存器
命令寄存器
睡觉
SDA
SCL
A2, A1, A0
WP
2
功率控制
块
量子阱
8Kx8
SRAM
8Kx8
商店
召回
控制寄存器奴隶
从内存
内存
地址和数据
控制
我C控制逻辑
从机地址
解码器
记
1.串行（I
2
C）的nvSRAM被称为的nvSRAM整个数据表。
赛普拉斯半导体公司
文件编号： 001-70393修订版* E
198冠军苑
圣荷西
,
CA 95134-1709
408-943-2600
修订后的2012年8月3日
