MUN2211 ， MMUN2211L ，
MUN5211 ， DTC114EE ，
DTC114EM3 ， NSBC114EF3
数字晶体管（ BRT ）
R 1 = 10千瓦， R2 = 10千瓦
NPN晶体管与单片偏置
电阻网络
这一系列的数字晶体管被设计为替代单一
设备及其外部电阻偏置网络。偏置电阻
晶体管（BRT ）中包含一个单片偏压单个晶体管
网络由两个电阻器;一系列的基极电阻和一个基线
发射极电阻。快速公交系统通过消除了这些个别组件
它们集成到单个设备中。使用BRT可以减少
系统成本和电路板空间。
特点
销1
BASE
（输入）
http://onsemi.com
引脚连接
3脚
集热器
（输出）
R1
R2
销2
辐射源
（接地）
标记DIAGRAMS
SC59
CASE 318D
风格1
简化网络连接的ES电路设计
板级空间缩小
减少了元件数量
S和NSV前缀为汽车和其他需要的应用
独特的网站和控制变化的要求; AEC- Q101
合格的，有能力PPAP
这些器件是无铅，无卤素/无溴化阻燃剂和符合RoHS
柔顺
最大额定值
(T
A
= 25°C)
等级
集电极 - 基极电压
集电极 - 发射极电压
集电极电流
连续
输入正向电压
输入反向电压
符号
V
CBO
V
首席执行官
I
C
V
IN（ FWD ）
V
在（转）
最大
50
50
100
40
10
单位
VDC
VDC
MADC
VDC
VDC
XX MG
G
1
XXX MG
G
1
XX MG
G
1
XX M
1
XX M
1
XM 1
XXX
M
G
SOT23
CASE 318
类型6
SC70/SOT323
CASE 419
方式3
SC75
CASE 463
风格1
SOT723
CASE 631AA
风格1
SOT1123
CASE 524AA
风格1
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
=具体设备守则
=日期代码*
= Pb-Free包装
（注：微球可在任一位置）
*日期代码的方向可能有所不同
在制造地点。
订购信息
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包装尺寸本数据手册的第2页上的一节。
半导体元件工业有限责任公司， 2012
2012年8月
第4版
1
出版订单号：
DTC114E/D
