MC14070B ， MC14077B
CMOS SSI
四异“OR ”和“或非”门
的MC14070B四异或门和MC14077B四
异或非门与MOS P沟道构造和
在一个单一的整体的N沟道增强型器件
结构。这些互补MOS逻辑门发现的主要用途
其中，低功耗和/或高抗噪能力是需要的。
特点
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记号
图表
14
PDIP14
P后缀
CASE 646
1
MC140xxBCP
AWLYYWWG
电源电压范围为3.0伏到18伏直流
所有输出缓冲
可驱动两个低功耗TTL负载或一个低功耗的
肖特基TTL负载超过额定温度范围
所有输入双二极管保护
MC14070B
替代CD4030B和CD4070B类型
MC14077B
替代CD4077B类型
这些器件是无铅和符合RoHS标准
14
SOIC14
后缀
CASE 751A
1
140xxBG
AWLYWW
最大额定值
（电压参考V
SS
)
符号
V
DD
V
in
, V
OUT
I
in
, I
OUT
P
D
T
A
T
英镑
T
L
参数
直流电源电压范围
输入或输出电压范围
（ DC或瞬态）
输入或输出电流
每个引脚（ DC或瞬态）
功耗，每包
（注1 ）
环境温度范围
存储温度范围
焊接温度
（ 8秒焊接）
价值
0.5
至18.0
0.5
到V
DD
+ 0.5
±
10
500
55
+125
65
+150
260
单位
V
V
mA
mW
°C
°C
°C
xx
A
WL ，L
YY, Y
WW, W
G
SOEIAJ14
后缀f
CASE 965
1
=具体设备守则
=大会地点
=晶圆地段
=年
=工作周
= Pb-Free包装
14
MC140xxB
ALYWG
强调超过最大额定值可能会损坏设备。最大
额定值的压力额定值只。以上推荐的功能操作
工作条件是不是暗示。长时间暴露在上面的压力
推荐的工作条件可能会影响器件的可靠性。
1.温度降额：
塑料“P和D / DW”套餐： - 7.0毫瓦/ _C从65_C为125_C
该器件包含保护电路，以防止由于高伤害
静态电压或电场。但是，必须采取预防措施，以避免
任何电压的应用中高于最大额定电压至该
高阻抗电路。为了正常工作，V
in
和V
OUT
应受限制
到范围V
SS
v
(V
in
或V
OUT
)
v
V
DD
.
未使用的输入必须始终连接到一个适当的逻辑电平
（例如，任一V
SS
或V
DD
） 。未使用的输出必须悬空。
订购信息
请参阅包装详细的订购和发货信息
尺寸部分本数据手册的第3页。
半导体元件工业有限责任公司， 2011
2011年6月，
启8
1
出版订单号：
MC14070B/D
