数据表
复合晶体管
CE2A3Q
片上电阻NPN硅外延晶体管
对于中速开关
该CE2A3Q是在芯片上高的hFE电阻晶体管
结合自卸车二极管集电极到发射极的保护
元素。该晶体管是理想的办公自动化的传动机构
设备和电气设备。
封装图（单位：mm ）
特点
片上偏置电阻，R
1
= 1.0千欧，R
2
= 10 k
驾驶过程中低功耗：
V
OL
= 0.12 V @V
I
= 5.0 V，I
C
= 0.5 A
片自卸车二极管反向电缆
质量等级
标准
请参考“质量等级NEC半导体
NEC公司出版的设备“ （文档编号C11531E ）
要知道的质量等级上的设备和说明书中其
推荐应用。
绝对最大额定值（Ta = 25 ° C）
°
参数
集电极 - 基极电压
集电极到发射极电压
发射器基极电压
集电极电流（ DC ）
集电极电流（脉冲）
基极电流（DC）的
总功耗
结温
储存温度
符号
V
CBO
V
首席执行官
V
EBO
I
C（ DC ）
I
C（脉冲）
*
I
B（ DC ）
P
T
T
j
T
英镑
评级
60
60
15
±2.0
±3.0
0.03
1.0
150
55
+150
单位
V
V
V
A
A
A
W
°C
°C
* PW
≤
10毫秒，占空比
≤
50 %
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证实，这是最新版本。
不是所有的设备/类型在每个国家都可用。请与当地的NEC代表检查
供应及其他信息。
一号文件D16179EJ2V0DS00 （第2版）
发布日期2002年4月 CP （ K）
日本印刷
2002
1998
