订购数量： EN6137B

5LN01M

三洋半导体

数据表

5LN01M

特点

N沟道MOSFET硅

通用开关设备

应用

低导通电阻

超高速开关

2.5V驱动

特定网络阳离子

绝对最大额定值

在TA = 25℃

参数

漏极至源极电压

栅极 - 源极电压

漏电流（ DC ）

漏电流（脉冲）

允许功耗

通道温度

储存温度

符号

VDSS

VGSS

ID

IDP

PD

总胆固醇

TSTG

PW≤10μs ，值班cycle≤1 ％

条件

评级

50

±10

0.1

0.4

0.15

150

--55到150

单位

V

V

A

A

W

°C

°C

本产品设计为“静电放电抗扰度< 200V *” ，所以请搬运时要小心。

*

机器型号

包装尺寸

单位：mm （典型值）

7023A-010

2.0

3

0.15

产品&包装信息

包

： MCP

JEITA ， JEDEC

： SC - 70 ， SOT- 323

最小包装数量： 3000个/卷。

5LN01M-TL-E

5LN01M-TL-H

0.425

包装类型： TL

记号

LOT号

1.25

2.1

0 0.08

0.2

0.425

1

0.65

2

0.3

YB

TL

LOT号

电气连接

1 ：门

2 ：源

3 ：排水

三洋： MCP

1

3

0.9

0.3

2

http://semicon.sanyo.com/en/network

71112 TKIM / 31506PE MSIM TB- 00002111 / TS 31000 （ KOTO ） TA -2048 No.6137-1 / 7