A

先进适用

L

INEAR

D

EVICES ，

I

NC 。

ALD110802/ALD110902

e

TM

EPAD

E

N

AB

LE

D

QUAD /双N沟道增强型EPAD

VGS （ TH） = + 0.20V

精密匹配的一对MOSFET阵列

概述

ALD110802 / ALD110902是高精度单片四核/双enhance-

彪型N沟道MOSFET在出厂时配套使用ALD的

成熟EPAD CMOS技术。这些器件适用于低电压

年龄，小信号的应用。该ALD110802 / ALD110902的MOSFET

设计和建造特殊设备的电气特性匹配 -

ING 。由于这些设备在同一块芯片上，他们也表现出

优良的温度系数跟踪特性。它们是通用的电路元件

作为设计组件为广泛的模拟应用中非常有用，

如为电流源基本构建块，差分放大器的输入

阶段，传输门电路，以及多路转换器的应用程序。对于大多数的应用

系统蒸发散，连接V-和IC引脚上最负电压的系

TEM和V +引脚，以最积极的电压。所有其他引脚必须有

电压范围内，在任何时候，这些电压限制。

该ALD110802 / ALD110902设备是专为最低的失调电压

和差热响应，并且它们适合用于开关和

放大的< + 0.1V的应用程序+ 10V系统中的低输入偏置

电流，低输入电容和开关速度快期望，如

这些器件具有很好的控制关断和亚阈值character-

istics和可被偏压，并在亚阈值区工作。自

这些MOSFET器件，它们的特点是非常大的（几乎是无限的）电流

租增益在低频或DC附近，操作环境。

该ALD110802 / ALD110902都适合使用在非常低的工作

电压或功率非常低（纳瓦） ，精密应用需要

很高的电流增益，β，例如电流镜和电流源。

高输入阻抗和的电场效应的高DC电流增益

晶体管是由于通过控制栅极极低的电流损耗。

直流电流增益由栅极输入漏电流，这是有限的

在30PA指定的温度为室温。例如，DC装置的测试

在30PA的3毫安和输入漏电流，在25 ℃的漏电流为=

3毫安/ 30PA = 100,000,000 。

特点

增强模式（常关）

为+ 0.20V 精确的栅极阈值电压

匹配的MOSFET MOSFET的特性

严格的批次控制参数

低输入电容

V

GS （ TH）

比赛（V

OS

），以10mV的

高输入阻抗 - 10

12

典型

正，零，负V

GS （ TH）

温度COEF网络cient

直流电流增益>10

8

低输入和输出泄漏电流

订购信息

（ “L”的后缀

表示无铅（ RoHS指令） ）

工作温度范围*

0 ° C至+ 70°C

0 ° C至+ 70°C

16-Pin

SOIC

包

16-Pin

塑料DIP

包

8-Pin

SOIC

包

8-Pin

塑料DIP

包

应用

超低功耗（纳瓦）模拟和数字

电路

超低工作电压（ <0.20V ）电路

亚阈值和偏置电路的操作

精密电流镜和电流源

纳安的电流源

高阻抗电阻模拟器

电容探头和传感器接口

差分放大器的输入级

离散电压比较器和电平转换器

电压偏置电路

采样和保持电路

模拟和数字转换器

充电检测器和集成商负责

源极跟随器和高阻抗缓冲器

电流倍增器

离散模拟开关/多路复用器

引脚配置

ALD110802

IC *

G

N1

D

N1

S

12

V

-

D

N4

G

N4

IC *

1

2

3

4

5

6

7

8

V

-

V

-

V

-

M4

M3

M1

M2

V

-

V

-

16

15

14

IC *

G

N2

D

N2

V

+

S

34

D

N3

G

N3

IC *

V

+

13

12

11

10

9

SCL ， PCL套餐

ALD110902

IC *

G

N1

D

N1

S

12

1

2

3

4

V-

V-

8

7

IC *

G

N2

D

N2

V-

M1

M2

6

V-

5

SAL ， PAL套餐

* IC引脚内部连接在一起。

连接到V-

ALD110802SCL ALD110802PCL

ALD110902SAL ALD110902PAL

*联系工厂的工业温度范围或用户指定的阈值电压值。

修订版2.1 2012先进的线性器件，公司415塔斯曼车道，桑尼维尔，CA 94089-1706电话： （ 408 ） 747-1155传真： （ 408 ） 747-1286

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