DRV8805
SLVSAW3C - 2011年7月 - 修订2012年3月
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热信息
热保护
该DRV8805具有如上所述的热关断（ TSD ） 。如果芯片温度超过大约
150℃下，该设备将被禁止，直到温度下降到安全的水平。
该设备进入TSD的倾向是要么功耗过大的指标，不足
的散热，或过高的环境温度。
功耗
在该DRV8805功耗由耗散在输出FET电阻的电为主，或
RDS （ ON） 。每个FET的运行静态负载时的平均功耗可以大致估计
方程1：
P = R
DS （ ON）
·
(I
OUT
)
2
(1)
其中P是一个FET ， R的功率耗散
DS （ ON）
是每个FET的电阻，并且我
OUT
等于
平均电流由负载消耗。注意，在启动和故障条件该电流远高于
正常运行电流;这些峰值电流和它们的持续时间也需要被考虑在内。当
同时驱动多个负载，在所有主动输出级的电源必须总结。
功率的，可以在设备中被耗散的最大数量取决于环境温度和
散热。
需要注意的是R
DS （ ON）
随温度增加，因此作为装置加热时，功耗增大。这必须
当调整散热器予以考虑。
散热
该DRV8805DW包使用标准的SOIC封装外形，但该中心引脚内部融合到芯片焊盘
为了更有效地从器件散热。两个中心引线在封装的每一侧
应连接在一起以尽可能大的铜区的PCB上，能够从除热
装置。如果铜区是在从设备的印刷电路板的相对侧，热过孔被用来传送
顶层和底层之间的热量。
在一般情况下，可以提供更多的铜的面积，更多的功率可消退。
该DRV8805PWP包使用的HTSSOP封装，带有裸使用PowerPad 。 PowerPAD封装
使用裸露焊盘以从设备中取出热量。对于正确的操作，该端口必须是热
连接到铜PCB上的散热。上的多层印刷电路板具有一个接地平面，这可以是
通过将若干通孔的热焊盘连接至所述接地平面来实现的。 PCB上没有
内部架，铜区可以在PCB的两侧被添加到散热。如果铜面积上
从设备的印刷电路板的相对侧，热通路用于传输顶部和底部之间的热
层。
有关如何设计PCB的详细信息，请参阅TI应用报告
SLMA002,
"PowerPAD热
增强Package"和TI应用简介
SLMA004,
"PowerPAD制造Easy" ，可在
www.ti.com 。
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