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SLAS605A - 2008年6月 - 修订2010年1月
典型特征（ 12位器件） （续）
变化为10位和8位器件太小而通过特性曲线来说明
信噪比
vs
输入频率
SINAD - 信号与噪声和失真 - 分贝
73
信号 - 噪声+失真
vs
输入频率
73
总谐波失真
vs
输入频率
-70
THD - 总谐波失真 - 分贝
信噪比 - 信号 - 噪声比 - 分贝
72.5
72
71.5
71
70.5
70
69.5
69
10
+ VA = 5 V
+ VBD = 3 V ，
f
S
= 1 MSPS ，
T
A
= 25°C,
MXO缩短到AINP
30
50
70
90
110 130
f
IN
- 输入频率 - 千赫
150
72.5
72
71.5
71
70.5
70
69.5
69
10
+ VA = 5 V
+ VBD = 3 V ，
f
S
= 1 MSPS ，
T
A
= 25°C,
MXO缩短到AINP
-72
-74
-76
-78
-80
-82
-84
-86
-88
-90
10
+ VA = 5 V
+ VBD = 3 V ，
f
S
= 1 MSPS ，
T
A
= 25°C,
MXO缩短到AINP
30
50
70
90
110 130
f
IN
- 输入频率 - 千赫
150
30
50
70
90
110 130
f
IN
- 输入频率 - 千赫
150
图25 。
图26 。
信号 - 噪声+失真
vs
输入频率
（跨不同的源电阻
值）
SINAD - 信号与噪声和失真 - 分贝
72
500
W
71.5
1000
W
图27 。
总谐波失真
vs
输入频率
（跨不同的源电阻
值）
-70
无杂散动态范围
vs
输入频率
SFDR - 无杂散动态范围 - 分贝
100
+ VA = 5 V
+ VBD = 3 V ，
f
S
= 1 MSPS ，
T
A
= 25°C,
MXO缩短到AINP
95
THD - 总谐波失真 - 分贝
-72
-74
-76
-78
-80
-82
-84
-86
-88
-90
20
90
71
10
W
70.5
100
W
+ VA = 5 V
+ VBD = 5 V ，
f
S
= 1 MSPS ，
T
A
= 25°C,
缓冲器之间MXO和AINP
1000
W
500
W
85
80
70
75
70
10
69.5
69
20
+ VA = 5 V
+ VBD = 5 V ，
f
S
= 1 MSPS ，
T
A
= 25°C,
缓冲器之间MXO和AINP
40
60
80
f
IN
- 输入频率 - 千赫
100
10
W
100
W
30
50
70
90
110 130
f
IN
- 输入频率 - 千赫
150
40
60
80
f
IN
- 输入频率 - 千赫
100
图28 。
图29 。
图30 。
版权所有 2008-2010 ，德州仪器
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