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SMJS829A - 1996年1月 - 修订1997年8月
TMS28F004Axy ， TMS28F400Axy
524288 ×8位/ 262144 ×16位
AUTO SELECT BOOT BLOCK快闪记忆体
读操作
有三种读操作可供选择：读阵列，读取算法选择代码，读状态寄存器。
D
读阵列
阵列级的输入上DQ0 - DQ7的命令代码FFH读。控制引脚E和G必须处于
逻辑低电平（V
IL
时），W和RP必须处于逻辑高电平（Ⅴ
IH
）读取来自阵列的数据。数据
可在DQ0 - DQ15 （字宽模式）或DQ0 - DQ7 （字节宽的模式） 。在任何任何有效地址
块选择该块，并允许将数据从块读出。
D
读算法，选择代码
算法选择代码由上DQ0 -DQ7输入命令代码90H读取。两个总线周期
需要进行此操作：先输入命令代码，第二读取装置，相当于
代码。控制引脚E和G必须为逻辑低电平（V
IL
时），W和RP必须处于逻辑高电平
( V
IH
） 。两个标识符字节通过切换A0访问。获得在制造商相当于代码
DQ0 - DQ7与A0处于逻辑低电平（V
IL
） 。当A 0被设置为获得该设备的等效代码
逻辑高电平（V
IH
） 。可替换地，制造商和设备等效的代码可以通过应用被读
V
ID
（标称12伏特）至A9和通过切换A0高或低的选择所需的代码。所有其它地址
“无关” （见表4 ，表6 ，表7 ，表8） 。
D
读状态寄存器
状态寄存器的输入上DQ0 - DQ7的命令代码70H读取。控制引脚E和G必须是
在一个逻辑低电平（V
IL
时），W和RP必须处于逻辑高电平（Ⅴ
IH
） 。两个总线周期所需要的
此操作： 1 ，进入命令代码，第二读状态寄存器。在一个给定的读
周期，状态寄存器的内容被更新关于电子商务或G的下降沿，在过去的为准
周期。
编程操作
有编程2 CSM命令：程序设置和备用安装程序
（见表3）。输入所需的命令代码后， WSM接管并正确序列的
设备来完成编程操作。在这段时间内，氯磺化聚乙烯仅响应状态读取，直到
程序操作已经完成，在此之后的所有命令的CSM再次有效。一旦
程序命令已经发出， WSM通常不能被中断，直到程序算法
完成的（参见图3和图4）。
以RP为V
IL
在编程期间中断程序的操作。在编程过程中，V
PP
必须保持在
适当的V
PP
电压范围内，如图所示，在推荐的工作条件的表。不同
RP时，可湿性粉剂，和V的组合
PP
端子的电压电平确保一定的块中的数据是安全的，并因此
不能被编程（见表2的组合的列表） 。只有0是在书面和比较
程序操作。如果1秒编程，存储单元的内容不会改变，并没有出现错误。
程序-setup命令可以通过写FFH （以字节宽模式）或FFFFh时被中止（以字宽模式）
在第二个周期。第二个周期中写入全1后， CSM只响应状态的读取。
当WSM状态位（ SB7 ）被设置为逻辑高电平，表示本nonprogram动作结束，
所有的命令中的CSM再次有效。
14
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
