MAGX-000912-125L00

氮化镓HEMT的SiC脉冲功率晶体管

125W峰值， 960-1215兆赫， 128μs的脉冲， 10 ％占空比

特点

氮化镓耗尽型HEMT微波晶体管

内部匹配

常见源配置

宽带AB类操作

符合RoHS

+ 50V的典型操作

生产V1

11年8月18日

114年的MTTF

（通道温度< 200 ° C）

应用

航空电子： S模式， TCAS ， JTIDS ， DME和TACAN 。

产品说明

该MAGX - 000912-125L00是金金属化匹配镓

氮化镓（GaN ），碳化硅射频功率晶体管用于最佳

民用和军用航空电子脉冲放大器应用960

MHz至1215 MHz范围内，如S模式， TCAS ， JTIDS ， DME

和TACAN 。使用最先进的晶圆制造工艺状态下，

这些高性能的晶体管提供高增益，效率，

带宽，耐用性在很宽的带宽，对于今天的

苛刻的应用需求。高击穿电压允许

在极端负载失配可靠稳定运行

无以伦比的条件与旧的半导体技术。

在噘= 125W峰值典型的射频性能

频率

（兆赫）

960

1030

1090

1150

1215

针

(W)

1.4

1.3

1.6

1.7

1.6

收益

（ dB）的

19.7

19.8

18.9

18.6

18.9

坡

（ dB）的

-

-

-

-

1.2

Id

(A)

3.9

4.0

4.1

4.1

4.0

EFF

(%)

64.4

61.6

60.4

61.4

61.9

平均- EFF

(%)

-

-

-

-

61.9

RL

（ dB）的

-6.1

-11.9

-9.6

-9.3

-12.0

垂

（ dB）的

0.3

0.3

0.3

0.3

0.3

在M / A - COM射频测试装置测得的典型RF性能。设备在共同的来源AB类测试配置如下：

VDD = 50V ， IDQ =百毫安（脉冲） ， F = 960-1215兆赫，脉冲= 128us ，占空比为10 ％ 。

订购信息

MAGX - 000912-125L00 125W GaN功率晶体管

MAGX - 000912 - SB0PPR评估夹具

1

高级：

数据表包含有关产品M / A- COM技术信息

解决方案正在考虑发展。性能是基于目标规格，可模拟

迟来的结果，和/或原型的测量。致力于发展无法得到保证。

初步：

数据表包含有关产品M / A- COM技术信息

解决方案正在开发。性能是基于工程测试。规格

典型的。机械轮廓已定。工程样品和/或测试数据可以是可用

能。致力于生产数量难以保证。

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