IRFP460B ， SiHG460B
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典型特征
（25℃ ，除非另有说明）
Vishay Siliconix公司
80
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
R
DS （ ON）
，漏 - 源
导通电阻（标准化）
60
15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
11 V
10 V
9V
8V
7V
6V
BOTTOM 5 V
顶部
3
T
J
= 25 °C
2.5
2
1.5
1
V
GS
= 10 V
0.5
0
- 60 - 40 - 20 0
I
D
= 10 A
40
20
0
0
5
10
15
20
25
30
20 40 60 80 100 120 140 160
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 1 - 典型的输出特性
T
J
，结温（ ° C）
图。 4 - 归通电阻与温度的关系
40
10 000
15 V
14 V
13 V
12 V
11 V
11 V
10 V
9V
8V
7V
6V
BOTTOM 5 V
顶部
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
T
J
= 150 °C
电容（pF）
30
1000
C
国际空间站
V
GS
= 0 V ， F = 1兆赫
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
短
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
20
100
C
OSS
10
10
C
RSS
1
0
5
10
15
20
25
30
0
100
200
300
400
500
0
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 2 - 典型的输出特性
V
DS
，漏极至源极电压（ V）
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
80
T
J
= 25 °C
60
24
V
GS
,
栅极 - 源
电压（V）的
I
D
，漏极 - 源极电流（A ）
20
16
12
8
4
0
V
DS
= 400 V
V
DS
= 250 V
V
DS
= 100 V
40
T
J
= 150 °C
20
0
0
5
10
15
20
25
0
30
60
90
120
150
180
V
GS
，栅 - 源极电压（ V）
图。 3 - 典型的传输特性
S12-0812 -REV 。 B， 16 -APR- 12
Q
g
，总
门
费（ NC ）
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
文档编号： 91502
3
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