位置：首页 > IC型号导航 > 首字符5型号页 > 首字符5的型号第524页 > 5962-9205804MYA > 5962-9205804MYA PDF资料 > 5962-9205804MYA PDF资料3第21页
不建议用于新设计
SMJ320C31 ， SMJ320LC31 ， SMQ320LC31
数字信号处理器
SGUS026G - 1998年4月 - 修订2006年9月
存储器读/写时序
下面的表定义了STRB存储器的读/写时序参数。
定时参数存储器（ STRB = 0）的读/写（参见图14和图15）
号
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
td(H1L-SL)
td(H1L-SH)
td(H1H-RWL)R
td(H1L-A)
tsu(D-H1L)R
th(H1L-D)R
tsu(RDY-H1H)
th(H1H-RDY)
td(H1H-RWH)W
tv(H1L-D)W
th(H1H-D)W
td(H1H-A)W
延迟时间， H1低到STRB低
延迟时间， H1低到高STRB
延迟时间，H1高到R / W低（读）
延迟时间， H1低到一个有效的
建立时间，D H1前低（读）
保持时间，D H1后低（读）
建立时间， RDY前H1高
H1高后保持时间， RDY
延迟时间，H1高到R / W的高（写）
有效时间，之后H1低（写）D
保持时间后， H1高（写）D
延迟时间， H1高到一个有效的上背到背
写入周期（写入）
0
15
’C31-40
’LC31-40
民
0*
0*
0*
0*
14
0
8
0
9
17
0
14
最大
6
6
9
10
’C31-50
民
0*
0*
0*
0*
10
0
6
0
7
14
0
10
最大
5
5
7
10
’C31-60
民
0*
0*
0*
0*
9
0
5
0
6
12
最大
5
5
6
8
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
单位
TD （ A- RDY ）
从有效的延迟时间， RDY
7*
6*
6*
参见图16与负载电容大于典型负载电路电容（ CT = 80 pF）的地址总线时序的变化。
*该参数不生产测试。
H3
H1
12
STRB
13
读/写
15
A
16
24
D
18
19
RDY
注一： STRB保持在低背到背读操作。
17
14
图14.时序内存（ STRB = 0 ）阅读
邮政信箱1443
休斯敦，得克萨斯州77251-1443
21
