LMZ12003EXT
附加功能
输出过电压比较器
在FB的电压相比， 0.92V内部基准。如果FB上升到高于0.92V的导通时间被立即终止。这
情况被称为过电压保护（OVP） 。它可以或者发生，如果输入电压突然上升，如果输出
负载很突然下降。一旦OVP被激活，在次高端MOSFET将被禁止，直到条件清除。
此外，同步MOSFET将保持直到电感电流下降到零。
电流限制
电流限制检测时关断时间通过监测电流同步MOSFET进行。参照
功能框图，当顶部MOSFET被关断时，电感电流流过负载，PGND引脚和
内部同步MOSFET 。如果该电流超过4.2A （典型值）的电流限制比较器的下导通的开始
时间段。当FB输入电压低于0.8V ，电感电流已降低到低于下一个开关周期才会出现
4.2A 。电感电流时的时间段的同步MOSFET导通监测。只要电感电流
超过4.2A ，不会发生进一步的导通时间间隔为高端MOSFET 。开关频率，限流期间，由于较低
延长了关闭时间。还应当注意的是，目前的限制取决于占空比和温度如图中
图中的典型性能部分。
热保护
该LMZ12003EXT的结温不应超过其最大额定值。热保护是im-
通过一个内部热关断电路，该电路在165 ° C（典型值） ，使设备进入低功耗待机执行完成
状态。在这种状态下，主MOSFET保持关闭使得V
O
下降，另外CSS电容对地放电。
热保护功能有助于防止灾难性故障意外的设备过热。当结点温度降低
低于145 ° C（典型Hyst = 20 ° C） ，SS引脚被释放，V
O
平稳上升，恢复正常工作。
要求最大输出电流，特别是在高输入电压时，可能需要在高温降额适用
温度。
零线圈电流检测
低端（同步） MOSFET的电流通过其抑制同步一个零线圈电流检测电路监测
MOSFET时，其电流为零，直到下一次的时间。该电路采用DCM运行模式，从而提高了
效率在轻负载。
预偏置启动
该LMZ12003EXT将正常启动进入预偏置输出。这种启动情况是多轨逻辑应用中常见的
其中，电流路径可能在启动过程中不同的电源轨之间。下面范围捕获显示正确
本次活动中的行为。
预偏置启动
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