LF412
绝对最大额定值
（注
2)
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
（注
11)
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
“ （注
3)
输出短路
持续时间（注
4)
LF412A
±22V
±38V
±19V
连续
LF412
±18V
±30V
±15V
连续
H封装
功耗
“ （注
12)
T
j
最大
（注
5)
150°C
152°C/W
N包装
670毫瓦
115°C
115°C/W
θ
jA
（典型值）
工作温度。范围
（注
6)
（注
6)
储存温度。
65°C
≤
T
A
≤
150° 65°C
≤
T
A
≤
150°
C
C
范围
铅温度。
（焊接， 10秒）
260°C
260°C
ESD容差
1700V
1700V
“ （注
13)
DC电气特性
（注
7)
符号
V
OS
ΔV
OS
/ΔT
I
OS
参数
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
输入失调电流
V
S
=±15V
（注
7 ，注9 ）
I
B
输入偏置电流
V
S
=±15V
（注
7 ，注9 ）
R
IN
A
VOL
输入阻抗
大信号电压
收益
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
电源电流
（注
10)
V
O
= 0V ，R
L
=
∞
80
100
3.6
5.6
70
100
3.6
6.5
dB
mA
R
S
≤
10k
80
T
j
=25°C
V
S
=±15V, V
O
=±10V,
R
L
= 2K ，T
A
=25°C
过温
V
S
= ± 15V ，R
L
=10k
25
±12
±16
200
±13.5
+19.5
16.5
100
70
15
±12
±11
200
±13.5
+14.5
11.5
100
V / MV
V
V
V
dB
50
T
j
=25°C
T
j
=70°C
T
j
=125°C
T
j
=25°C
T
j
=70°C
T
j
=125°C
10
12
200
25
50
25
100
2
25
200
4
50
10
12
200
50
25
100
2
25
200
4
50
pA
nA
nA
pA
nA
nA
Ω
V / MV
条件
民
R
S
= 10 kΩ的，T
A
=25°C
R
S
=10 kΩ
（注
8)
LF412A
典型值
0.5
7
最大
1.0
10
民
LF412
典型值
1.0
7
最大
3.0
20
mV
μV/°C
单位
注2 ：
“绝对最大额定值”，表示以后可能会损坏设备的限制。工作额定值表明该设备条件
是功能，但不保证特定的性能极限。
AC电气特性
（注
7)
符号
参数
放大器放大器
耦合
SR
GBW
压摆率
增益带宽积
条件
民
T
A
= 25 ° C，F = 1 Hz至20 kHz的
（输入参考）
V
S
= ± 15V ，T
A
=25°C
V
S
= ± 15V ，T
A
=25°C
10
3
15
4
8
2.7
15
4
V / μs的
兆赫
LF412A
典型值
120
最大
民
LF412
典型值
120
最大
dB
单位
3
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