LF411
绝对最大额定值
（注1 ）
如果是用于军事/航空航天特定网络版设备是必需的，
请向美国国家半导体销售办事处/
经销商咨询具体可用性和规格。
LF411A
电源电压
差分输入电压
输入电压范围
（注2 ）
输出短路
长短
连续连续
H封装
功耗
（注3 ， 10 ）
670毫瓦
670毫瓦
（注5 ）
LF411A
民
V
OS
V
OS
/T
I
OS
输入失调电压
输入的平均TC
失调电压
输入失调电流
V
S
=
±
15V
（注5,7）
I
B
输入偏置电流
V
S
=
±
15V
（注5,7）
R
IN
A
VOL
输入阻抗
大信号电压
收益
V
O
V
CM
CMRR
PSRR
I
S
输出电压摆幅
输入共模
电压范围
共模
抑制比
电源电压
抑制比
电源电流
1.8
2.8
（注8）
80
100
R
S
≤10k
80
T
j
=25C
V
S
=
±
15V, V
O
=
±
10V,
R
L
= 2K ，T
A
=25C
过温
V
S
=
±
15V ，R
L
=10k
25
200
50
T
j
=25C
T
j
=70C
T
j
=125C
T
j
=25C
T
j
=70C
T
j
=125C
10
12
H封装
T
j
最大
θ
j
A
150C
162C / W（静止空气中）
65°C / W （ 400
LF /分钟
空气流动）
θ
j
C
工作温度。
范围
储存温度。
范围
铅温度。
（焊接，
10秒）
ESD容差
20C/W
（注4 ）
N包装
115C
120C/W
LF411
±
22V
±
38V
±
19V
±
18V
±
30V
±
15V
（注4 ）
65C≤T
A
≤150C
65C≤T
A
≤150C
260C
260C
N包装
评级待定。
DC电气特性
符号
参数
条件
R
S
= 10 kΩ的，T
A
=25C
R
S
= 10 kΩ的（注6 ）
LF411
最大
0.5
10
100
2
25
民
典型值
0.8
7
25
最大
2.0
20
（注6 ）
100
2
25
50
200
4
50
10
25
15
12
单位
mV
μV/°C
pA
nA
nA
pA
nA
nA
V / MV
V / MV
V
V
V
dB
dB
3.4
mA
典型值
0.3
7
25
50
200
4
50
200
200
200
±
12
±
16
±
13.5
+19.5
16.5
100
±
12
±
11
70
70
±
13.5
+14.5
11.5
100
100
1.8
AC电气特性
符号
SR
GBW
e
n
i
n
压摆率
增益带宽积
等效输入噪声电压
等效输入噪声电流
参数
（注5 ）
条件
民
LF411A
典型值
15
4
25
0.01
最大
民
8
2.7
10
3
LF411
典型值
15
4
25
0.01
最大
V / μs的
兆赫
单位
V
S
=
±
15V ，T
A
=25C
V
S
=
±
15V ，T
A
=25C
T
A
= 25 ° C，R
S
=100,
F = 1千赫
T
A
= 25 ° C，F = 1千赫
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