SBR12U45LH
I
F
，正向电流（A）
5
4.5
P
D
，功耗（ W）
4
3.5
3
2.5
2
1.5
1
0.5
0
0
5
10
15
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
图。 1前向功率耗散
100
10
T
J
= 150°C
T
J
= 125°C
T
J
= 85°C
新产品
1
T
J
= 25°C
T
J
= -55°C
0.1
0
200
400
600
V
F
，正向电压（MV ）
图。 2典型正向特性
I
R
，瞬时反向电流（ μA ）
100,000
100,000
F = 1MHz的
10,000
C
T
，总电容（PF ）
10,000
1,000
1,000
100
10
0
5
10 15 20 25 30 35 40 45
V
R
，瞬时反向电压（ V）
图。 3典型的反向特性
T
A
，降额使用环境温度（ ° C）
100
0.1
1
10
100
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 4总电容与反向电压
14
I
F（ AV ）
，平均正向电流（ A）
基于铅温度（T
L
)
150
12
10
8
6
4
2
0
25
50
75
100
125
150
T
A
，环境温度（ ° C）
图。 5正向电流降额曲线
175
125
100
75
50
25
0
0
9
18
27
36
V
R
，采用直流反接电压（ V）
图。 6工作温度降额
45
SBR和的PowerDI注册Diodes公司的商标。
3 5
SBR12U45LH
文件编号： DS35094牧师4 - 2
2011年10月
Diodes公司
www.diodes.com
