不建议用于新设计

bq24751B

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SLUS835A - 2008年7月 - 修订2009年3月

N沟道器件上始终有足够的电压，以保持充分的。如果BTST到PH值电压降至4V以下

超过3个周期，高侧的N沟道功率MOSFET被关断和低侧N-沟道功率

MOSFET导通拉PH节点下来，充电BTST电容。然后在高边驱动器

返回到100％的占空比操作，直到（ BTST - PH）的电压被检测到由于泄漏再次落入低

电流放电BTST电容器低于4伏，复位脉冲补。

300 kHz的固定频率振荡器严格控制输入的所有条件下的开关频率

电压，电池电压，充电电流和温度。这简化了输出滤波器的设计，并保持它的

可听噪声区域。电荷的电流检测电阻器R

SR

应该被设计成具有至少一半或更多的

总输出电容放置在检测电阻之前，无论是检测电阻和输出接触

电感器;而另一半，或剩余电容放置在感测电阻器之后。输出电容

应分并放置在充电电流检测电阻器的两侧上。 50:50百分之一的比例给

最佳的性能;但在其中，输出电感和感测电阻器连接的节点应该有一个

最小的总电容的50％。这个电容提供了足够的过滤，以除去开关

噪音，提供更好的电流检测精度。该型III补偿提供了近阶段提升

交叉频率，提供足够的相位裕度。

同步和非同步操作

充电器工作在非同步模式下，当感测到的充电电流低于ISYNSET内部

设定值。否则，充电器工作在同步方式。

在同步模式下，低侧N沟道功率MOSFET导通时的高侧N沟道功率时，

MOSFET关闭。内部栅极驱动逻辑使用先开后合的开关，以防止直通

电流。在30 ns的死区时间，其中两个FET关断时，所述低侧功率MOSFET的背二极管

导通，电感电流。具有低侧FET导通保持较低的功耗，并允许安全

充电在高电流。在同步模式下，电感电流总是流动，并且该装置操作

在连续导通模式（ CCM ），创建一个固定的两极体系。

在非同步操作中，高侧N沟道功率MOSFET关闭后，并经过所述

突破前先死区时间，低边N沟道功率MOSFET导通，大约80纳秒，那么

低侧功率MOSFET关断，并保持关机状态，直到下一个周期的开始，高侧电源时，

MOSFET再次打开。需要接通时间80 ns的低侧MOSFET ，以保证自举

电容器始终充电并能够在下一个周期内，保持高侧功率MOSFET上。这是

电池充电器，这里不像普通的DC-DC转换器，还有一个电池负载维持一个很重要

电压和能源和吸收电流。之间的80 ns的低侧脉拉PH节点（连接

高侧和低侧的MOSFET ）下，允许自举电容充电到REGN LDO的值。

在80纳秒之后，将低侧MOSFET保持关闭，以防止负电感器电流流过。电感器

电流被关断低侧MOSFET受阻，和电感电流变得不连续。这

模式被称为非连续导通模式（ DCM ） 。

在DCM模式中，环路响应自动改变，并具有一个单极系统在其中的极

是正比于负荷电流，因为该转换器不吸收电流，并且只有负载提供了一个

电流吸收器。这意味着，在低电流时，环路响应是比较慢的，因为有较少的吸收电流

可用的放电的输出电压。在非同步操作期间低电流，可能会有一个

在80纳秒的充电脉冲期间，少量的负电感器电流。电荷应足够低，以

由输入电容吸收。

每当BTST - PH < 4 V， 80纳秒脉冲充电发生LODRV ，高边MOSFET不转

对，和低边MOSFET不导通（仅80纳秒脉冲充电） 。

在bq24751B ，V

ISYNSET

=I

SYN

×R

SR

内部设定为13mV的充电电流阈值使

从非同步操作，以同步运行的充电器的变化。的低侧驱动器导通为止

80 ns到升压电容器充电。这是重要的，以防止负电感器电流，而这会导致

提高，其中输入电压随着电源从电池传送到输入电容的效果。

此升压效应可以导致PVCC节点上的过电压，并可能损坏系统。电感器

纹波电流由下式给出

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