30V的MOSFET Power33
减少电路板空间
最佳的一流的功率密度
能效标准和终端系统的要求正迫使设计 -
商寻求节能的解决方案，帮助缩小他们的应用程序的权力
电源的外形尺寸。飞兆半导体的FDMC8010 30V Power33 MOSFET满足这些
需求的同时提高功率密度，在3.3毫米X 3.3毫米PQFN外形尺寸
有66％的占位面积的节省。
采用飞兆半导体的PowerTrench
技术， FDMC8010是非常适合于
应用中的低R
DS （ ON）
要求在狭小的空间。在孤立
1/ 16号砖的DC-DC转换器的应用中， Power33 MOSFET的
DS （ ON）
of
只有1.3mΩ最大，比这个足迹的竞争解决方案小25 ％ 。
此外，该设备减少了传导损耗，从而提高热
效率高达25 ％。
优势
高性能技术
对于最佳的R级
DS （ ON）
of
1.3mΩ max
3.3毫米X 3.3毫米业界
标准外形，
PQFN - 节省电路板空间
低功耗传导损耗
更高的功率密度
更高的效率
应用
隔离式DC- DC
同步整流
负载点的
同步降压型转换
高效率的负载
开关和低侧开关
O形圈FET
欲了解更多信息，请访问：
fairchildsemi.com/pf/FD/FDMC8010.html
收缩你的设计，同时提供最佳的一流的功率密度
产品
数
FDMC8010
BV
DSS
(V)
25
i
D
(A)
T
A
= 25°C
30
R
DS （ ON）
最大
10V
1.3mΩ
4.5V
1.8mΩ
Q
g
（ NC ）
0V至
4.5V
45
Q
gd
（ NC ）
9.5
pF
C
国际空间站
4405
包
PQFN
3.3毫米X 3.3毫米
(Power33)
