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数据表
特定网络阳离子
1
AV
DD
DV
DD
= V
VCO
= 3.3 V± 10 ％ ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。
表1中。
参数
REF
IN
特征
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
2
电荷泵
I
CP
吸入/源
3
高价值
低价值
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INH
/I
INL
，输入电流
C
IN
，输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
I
OH
，高输出电流
V
OL
，输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
VCO
AI
DD 4
DI
DD4
I
VCO4 ， 5
I
RFOUT4
低功耗睡眠模式
4
RF输出特性
5
VCO的输出频率
VCO灵敏度
锁定时间
6
频推（开环）
频率牵引（开环）
谐波含量（二）
谐波含量（三）
输出功率
5, 7
输出功率变化
VCO调谐范围
VCO调谐端口泄漏电流
B版本
10/250
0.7/AV
DD
0至AV
DD
5.0
±100
8
单位
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
V最大
pF的最大
μA（最大值）
兆赫最大
有R
SET
= 4.7 kΩ.
2.5
0.312
2.7/10
0.2
2
1.5
2
1.5
0.6
±1
3.0
DV
DD
– 0.4
500
0.4
3.0/3.6
AV
DD
AV
DD
10
2.5
19.0
3.5至11.0
7
2400/2725
56
250
1
15
30
39
13/6.5
±3
1.25/2.50
0.2
毫安（典型值）
毫安（典型值）
kΩ
nA的典型值
％ （典型值）
％ （典型值）
％ （典型值）
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的最大
V分钟
μA（最大值）
V最大
V MIN / V最大
CMOS输出选择。
I
OL
= 500 μA.
条件/评论
ADF4360-0
对于f < 10兆赫，采用直流耦合
CMOS兼容的方波，转换速率> 21 V / μs的。
AC耦合。
CMOS兼容。
1.25 V ≤ V
CP
≤ 2.5 V.
1.25 V ≤ V
CP
≤ 2.5 V.
V
CP
= 2.0 V.
毫安（典型值）
毫安（典型值）
毫安（典型值）
毫安（典型值）
μA （典型值）
MHz的最小/最大
兆赫/ V （典型值）
微秒（典型值）
兆赫/ V （典型值）
kHz的典型值
dBc的典型值
dBc的典型值
dBm的典型值
dB典型值
V最小/最大
nA的典型值
I
CORE
= 10 mA的电流。
RF输出级是可编程的。
I
CORE
= 15 mA的电流。
要在最终的频率为10赫兹。
到2.00 VSWR负载。
可编程3 dB的步长。见表7 。
对于调整负载，请参阅输出匹配部分。
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