ADS1203
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SBAS318C - 2004年6月 - 修订2008年1月
这个集成电路可以被ESD损坏。德州仪器建议所有集成电路与适当的处理
预防措施。如果不遵守正确的操作和安装程序，可以造成损坏。
ESD损害的范围可以从细微的性能下降，完成设备故障。精密集成电路可能更容易受到
因为伤害非常小的参数变化可能导致设备不能满足其公布的规格。
订购信息
对于最新的封装和订购信息，请参阅封装选项附录位于月底
本数据手册，或查看TI网站www.ti.com 。
绝对最大额定值
(1)
在工作自由空气的温度范围内，除非另有说明
ADS1203
电源电压， AV
DD
到AGND或V
DD
到GND
电源电压， BV
DD
到BGND
模拟输入电压相对于AGND和GND
参考输入电压相对于AGND
数字输入电压相对于BGND或GND
地电压差， AGND至BGND
电压差， BV
DD
到AGND
输入电流供应，除非任何引脚
功耗
工作结温范围，T
J
工作的自由空气的温度范围内，T
A
-0.3 6
-0.3 6
AGND - 0.3到AV
DD
+ 0.3
AGND - 0.3到AV
DD
+ 0.3
BGND - 0.3到BV
DD
+ 0.3
±0.3
-0.3 6
±10
见耗散额定值表
-40到+150
-40到+125
°C
°C
单位
V
V
V
V
V
V
V
mA
存储温度范围，T
英镑
-65到+150
°C
（ 1 ）强调超越那些在列
绝对最大额定值
可能对器件造成永久性损坏。这些压力额定值只，和
该设备在这些或超出下标明的任何其他条件的功能操作
推荐工作条件
不
暗示。暴露于长时间处于最大绝对额定情况下会影响器件的可靠性。
推荐工作条件
参数
电源电压， AV
DD
到AGND或V
DD
到GND
低电压电平
电源电压， BV
DD
到BGND
参考输入电压
操作共模信号
模拟输入
外部时钟（1）
V
IN
+ V
IN
- （ TSSOP封装）
V
IN
+ V
IN
- （ QFN封装）
5V逻辑电平
民
4.5
2.7
4.5
0.5
0
250
0.1
×
REFIO
16
20
5
2.5
喃
5
最大
5.5
3.6
5.5
2.6
5
+250
+0.1
×
REFIO
24
+150
单位
V
V
V
V
V
mV
V
兆赫
°C
工作结温范围，T
J
40
（ 1 ）精度有所下降，时钟可以从1MHz至32MHz的;见典型特性曲线。
耗散额定值
包
TSSOP-8
QFN-16
T
A
≤
+25°C
额定功率
532mW
2540mW
降额因子
上述牛逼
A
= +25°C(1)
4.3mW/°C
20.4mW/°C
T
A
= +70°C
额定功率
338mW
1622mW
T
A
= +85°C
额定功率
274mW
1316mW
T
A
= +1255C
额定功率
102mW
500mW
（ 1 ）这是传统的结点至环境热阻的倒数（R
qJA
） 。热敏电阻是未经过生产测试，并且是
仅供参考。
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