数据表
特定网络阳离子
1
AV
DD
DV
DD
= V
VCO
= 3.3 V± 10 ％ ; AGND = DGND = 0 V ;牛逼
A
= T
民
给T
最大
中，除非另有说明。
表1中。
参数
REF
IN
特征
REF
IN
输入频率
REF
IN
输入灵敏度
REF
IN
输入电容
REF
IN
输入电流
相位检测器
鉴相器频率
2
电荷泵
I
CP
吸入/源
3
高价值
低价值
R
SET
范围
I
CP
三态泄漏电流
漏极和源极电流匹配
I
CP
与V
CP
I
CP
与温度的关系
逻辑输入
V
INH
，输入高电压
V
INL
，输入低电压
I
INH
/I
INL
，输入电流
C
IN
，输入电容
逻辑输出
V
OH
，输出电压高
I
OH
，高输出电流
V
OL
，输出低电压
电源
AV
DD
DV
DD
V
VCO
AI
DD 4
DI
DD4
I
VCO4 ， 5
I
RFOUT4
低功耗睡眠模式
规格接下页。
B版本
10/250
0.7/AV
DD
0至AV
DD
5.0
±60
8
单位
MHz的最小/最大
V P-P最小/最大
V最大
pF的最大
μA（最大值）
兆赫最大
有R
SET
= 4.7 kΩ.
2.5
0.312
2.7/10
0.2
2
1.5
2
1.5
0.6
±1
3.0
DV
DD
– 0.4
500
0.4
3.0/3.6
AV
DD
AV
DD
10
2.5
14.0
3.5至11.0
7
毫安（典型值）
毫安（典型值）
kΩ
nA的典型值
％ （典型值）
％ （典型值）
％ （典型值）
V分钟
V最大
μA（最大值）
pF的最大
V分钟
μA（最大值）
V最大
V MIN / V最大
CMOS输出选择。
I
OL
= 500 μA.
条件/评论
ADF4360-7
对于f < 10兆赫，采用直流耦合的CMOS兼容
方波，转换速率> 21 V / μs的。
AC耦合。
CMOS兼容。
1.25 V ≤ V
CP
≤ 2.5 V.
1.25 V ≤ V
CP
≤ 2.5 V.
V
CP
= 2.0 V.
毫安（典型值）
毫安（典型值）
毫安（典型值）
毫安（典型值）
μA （典型值）
I
CORE
= 5毫安。
RF输出级是可编程的。
版本B |第28 3
