
IKW15T120
^
TRENCHSTOP系列
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复
5毫焦耳
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复
E
ts
*
E,
开关损耗
E,
开关损耗
8,0mJ
4兆焦耳
6,0mJ
3兆焦耳
E
on
*
4,0mJ
E
ts
*
2,0mJ
E
关闭
E
on
*
5A
10A
15A
20A
25A
2兆焦耳
E
关闭
1兆焦耳
0,0mJ
0毫焦
5
30
55
80
105
I
C
,
集电极电流
图13.典型的开关损耗
AS集电极电流的函数
(感性负载,
T
J
=150°C,
V
CE
=600V, V
GE
=0/15V,
R
G
=56,
在图E动态测试电路)
R
G
,
栅极电阻
图14.典型的开关损耗
作为栅极电阻的函数
(感性负载,
T
J
=150°C,
V
CE
=600V, V
GE
=0/15V,
I
C
=15A,
在图E动态测试电路)
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复
6mJ
*)
E
on
和
E
ts
包括损失
由于二极管恢复
E,
开关损耗
E,
开关损耗
4mJ
5mJ
4mJ
3mJ
2mJ
1mJ
E
ts
*
3mJ
E
ts
*
2mJ
E
关闭
1mJ
E
on
*
E
关闭
E
on
*
0mJ
50°C
100°C
150°C
0mJ
400V
500V
600V
700V
800V
T
J
,
结温
图15.典型的开关损耗
作为结点的函数
温度
(感性负载,
V
CE
=600V,
V
GE
=0/15V,
I
C
=15A,
R
G
=56,
在图E动态测试电路)
V
CE
,
集热器
-
发射极电压
图16.典型的开关损耗
作为集电极 - 发射极的作用
电压
(感性负载,
T
J
=150°C,
V
GE
=0/15V,
I
C
=15A,
R
G
=56,
在图E动态测试电路)
功率半导体
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初步/牧师7月1日 - 02