IDT70P258/248L
低功耗1.8V 8K / 4K ×16双口静态RAM
工业温度范围
电容
（ TA = + 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
C
IN
C
OUT
参数
输入电容
输出电容
条件
(2)
V
IN
= 3DV
V
OUT
= 3DV
马克斯。
9
11
单位
pF
pF
5675 TBL 07
最大工作温度
与电源电压
(1)
GRADE
产业
环境
温度
-40
O
C至+ 85
O
C
GND
0V
V
DD
1.8V
+
100mV
5675 TBL 05
注意事项：
1，这个参数是由器件特性决定的，但不是生产
测试。
2. 3DV引用插电容时的输入和输出信号
从0V切换到3V或3V至0V 。
注意事项：
1.这是参数T
A
。这是"instant on"外壳温度。
建议的直流工作条件
(V
DDQL
= 3.0V ± 300mV的）
符号
V
DD
V
DDQL
V
SS
V
国际人道法
V
生病
V
国际卫生条例
V
ILR
参数
电源电压
(4)
左侧端口电源电压
地
输入高电压（V
DDQL
= 3.0V)
低输入电压（V
DDQL
= 3.0V)
输入高电压
(3)
输入低电压
(3)
分钟。
1.7
2.7
0
2.0
-0.2
1.2
-0.2
典型值。
1.8
3.0
0
___
马克斯。
1.9
3.3
0
V
DDQL
+ 0.2
0.6
V
DD
+ 0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
5675 TBL 06
___
___
___
建议的直流工作条件
(V
DDQL
= 2.5V ± 100mV的）
符号
V
DD
V
DDQL
V
SS
V
国际人道法
V
生病
V
国际卫生条例
V
ILR
参数
电源电压
(4)
左侧端口电源电压
地
输入高电压（V
DDQL
= 2.5V)
低输入电压（V
DDQL
= 2.5V)
输入高电压
(3)
输入低电压
(3)
分钟。
1.7
2.4
0
1.7
-0.3
1.2
-0.2
典型值。
1.8
2.5
0
___
马克斯。
1.9
2.6
0
V
DDQL
+ 0.3
0.7
V
DD
+ 0.2
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
V
5675 TBL 06_5
___
___
___
注意事项：
1. V
IL
> -1.5V脉冲宽度小于10ns的。
2. V
TERM
一定不能超过V
DD
+ 0.3V.
3.
SFEN
工作在1.8V V
IH
和V
IL
电压电平。
4. M / S运行在V
DD
和V
SS
电压电平。
6.42
5
