IDT70P258/248L
低功耗1.8V 8K / 4K ×16双口静态RAM
工业温度范围
AC电气特性在
工作温度和电源电压范围
70P258/248
Ind'l只有
符号
忙
时序（ M / S = V
DD
)
t
BAA
t
北京经济技术开发区
t
BAC
t
BDC
t
APS
t
BDD
t
WH
忙
从地址匹配访问时间
忙
禁止时间从地址不匹配
忙
从芯片的访问时间启用低
忙
禁止时间从芯片使能高
仲裁优先建立时间
(2)
忙
禁止以有效数据
(3)
写后举行
忙
(5)
____
参数
分钟。
马克斯。
单位
45
45
45
45
____
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
____
____
____
5
____
40
____
35
忙
时序（ M / S = V
SS
)
t
WB
t
WH
忙
输入写
(4)
写后举行
忙
(5)
0
35
____
ns
ns
____
端口到端口延迟时序
t
WDD
t
DDD
写脉冲数据延迟
(1)
写数据有效读取数据的延迟
(1)
____
80
65
ns
ns
5675 TBL 13
____
注意事项：
1.端口到端口通过SRAM单元延迟写入端口读取端口，请参考阅读"Timing波形随着
忙
（ M / S = V
DD
） "或写的"Timing波形
随着端口到端口延迟（M / S = V
SS
） ＆ QUOT ;.
2.为了确保两个端口的较早者获胜。
3. t
BDD
是一个计算出的参数，是为0ns越大，叔
WDD
– t
WP
（实际的）或T
DDD
– t
DW
（实际的） 。
4.为了确保写周期的争用过程中受到抑制。
5.为了确保写周期竞争后完成的。
6.42
13
