FJP3835
典型特征
7
1000
I
B
= 35毫安
6
V
CE
= 4V
I
C
[A] ，集电极电流
h
FE
，直流电流增益
5
T
C
= 125 C
o
T
C
= 75 C
o
4
100
3
T
C
= - 25 C
o
T
C
= 25 C
o
I
B
= 10毫安
2
I
B
= 5毫安
1
0
0
2
4
6
8
10
0.01
0.1
1
10
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
I
C
[A] ，集电极电流
图1.静态Characterstic
图2.直流电流增益
1
10
V
CE
（饱和） [ V]时，饱和电压
I
C
= 10 I
B
I
C
= 10 I
B
0.1
T
C
= - 25 C
T
C
= 25 C
T
C
= 75 C
0.01
o
o
o
V
BE
（SAT） ，饱和电压
1
T
C
= - 25 C
T
C
= 75 C
T
C
= 125 C
o
o
o
T
C
= 25 C
o
T
C
= 125 C
o
1E-3
0.01
0.1
1
10
0.1
0.01
0.1
1
10
I
C
[A] ，集电极电流
I
C
[A] ，集电极电流
图3.集电极 - 发射极饱和电压
图4.基射极饱和电压
100
100
I
C
[A] ，集电极电流
10
I
C
MAX 。 （DC）的
10ms
1
P
C
[W] ，功率耗散
I
C
MAX 。 （脉冲）
100ms
80
60
40
0.1
20
单脉冲
o
T
C
=25[ C]
0.01
0.1
1
10
100
0
0
25
50
o
75
100
125
150
175
V
CE
[V] ，集电极 - 发射极电压
T
C
[C] ，外壳温度
图5.安全工作区
图6.功率降额
2003仙童半导体公司
版本A 2003年12月
