ADE7756
宽，例如，一个2字节的数据传送必须发生。该
数据总是被假设为右对齐，因此，在这种情况下，
的4个MSB的第一字节将被忽略，并且4个LSB的
写入ADE7756的第一个字节将是4个MSB
的12位字。图39示出了这个例子。
串行读操作
中一个数据来自ADE7756读操作时，数据被移
出在SCLK的上升沿DOUT逻辑输出。如
是与该数据的写入操作的情况下，一个数据读出必须
前面有一个写通信寄存器。
与ADE7756的通信模式（即，
CS
逻辑
低）一个8位的写入通信寄存器第一需要
的地方。这个字节传送的MSB为0 ，表示该
下一个数据传输操作是一个读操作。这个字节的LSB
包含的寄存器的地址被读取。在ADE7756
在开始的下一个上升沿移出寄存器数据
SCLK ，见图40。此时DOUT逻辑输出
离开它的高阻抗状态，并开始驱动数据总线。
寄存器数据的所有剩余位被移出后续
SCLK上升沿。串行接口还进入串行通信
阳离子模式再尽快读出已经完成。在
此时，DOUT逻辑输出进入高阻抗状态
在最后一个SCLK脉冲的下降沿。在读操作
可以通过使被中止
CS
逻辑输入前高
的数据传输已完成。在DOUT输出变为高
上的上升沿阻抗状态
CS 。
当ADE7756寄存器寻址用于读出操作，
该寄存器中的全部内容被传输到串行
端口。这使ADE7756修改其片内寄存器
不破坏数据的字节传输过程中的风险。
注意，当在读取操作如下进行写操作时，读
命令（即，写通信寄存器）不应该
发生至少4
s
写入动作结束后。如果
读命令是内4发送
s
的写操作，该
在写操作的最后一个字节可能会丢失。这由下式给出
时序规范吨
9
.
t
8
CS
t
1
SCLK
t
2
t
4
t
3
t
5
A3
A2
A1
A0
DB7
DB0
t
7
t
6
DIN
1
0
0
A4
DB7
DB0
命令字节
最显着的字节
最显着的字节
图38.串行接口写时序图
SCLK
DIN
X
X
X
X
DB11 DB10 DB9
DB8
DB7
DB6
DB5
DB4
DB3
DB2
DB1
DB0
最显着的字节
最显着的字节
图39. 12位串行写操作
CS
t
1
SCLK
t
9
t
10
t
13
DIN
0
0
0
A4
A3
A2
A1
A0
t
11
DOUT
命令字节
DB7
t
11
DB0
DB7
t
12
DB0
最显着的字节
最显着的字节
图40.串行接口读取时序图
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